（10分）據(jù)有關資料介紹，受控熱核聚變反應裝置中有極高的溫度，因而帶電粒子將沒有通常意義上的容器可裝，而是由磁場約束帶電粒子運動將其束縛在某個區(qū)域內(nèi)，現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題，如圖所示，有一個環(huán)形區(qū)域，其截面內(nèi)半徑為，外半徑為R₂=1. 0 m，區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向外的勻強磁場，已知磁感應強度B=1.0 T，被束縛粒子的荷質(zhì)比為=4.0×10⁷C/kg，不計帶電粒子在運動過程中的相互作用，不計帶電粒子的重力．

(1)若中空區(qū)域中的帶電粒子沿環(huán)的半徑方向射入磁場，求帶電粒子不能穿越磁場外邊界的最大速度v₀；

(2)若中空區(qū)域中的帶電粒子以（1)中的最大速度v₀沿圓環(huán)半徑方向射入磁場，求帶電粒子從進入磁場開始到第一次回到該點所需要的時間t。

據(jù)有關資料介紹，受控熱核聚變反應裝置中有極高的溫度，因而帶電粒子將沒有通常意義上的容器可裝，而是由磁場約束帶電粒子運動將其束縛在某個區(qū)域內(nèi)，現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題，如圖所示，有一個環(huán)形區(qū)域，其截面內(nèi)半徑為，外半徑為R₂=1. 0 m，區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的勻強磁場，已知磁感應強度B=1.0 T，被束縛粒子的荷質(zhì)比為=4.0×10⁷C/kg，不計帶電粒子在運動過程中的相互作用，不計帶電粒子的重力．

(1)若中空區(qū)域中的帶電粒子沿環(huán)的半徑方向射入磁場，求帶電粒子不能穿越磁場外邊界的最大速度v₀.

 (2)若中空區(qū)域中的帶電粒子以（1)中的最大速度v₀沿圓環(huán)半徑方向射入磁場，求帶電粒子從進入磁場開始到第一次回到該點所需要的時間t。

據(jù)有關資料介紹，受控熱核聚變反應裝置中有極高的溫度，因而帶電粒子將沒有通常意義上的容器可裝，而是由磁場約束帶電粒子運動將其束縛在某個區(qū)域內(nèi)，現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題，如圖所示，有一個環(huán)形區(qū)域，其截面內(nèi)半徑為，外半徑為R₂=1． 0 m，區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的勻強磁場，已知磁感應強度B=1．0 T，被束縛粒子的荷質(zhì)比為=4．0×10⁷C/kg，不計帶電粒子在運動過程中的相互作用，不計帶電粒子的重力．

（1）若中空區(qū)域中的帶電粒子沿環(huán)的半徑方向射入磁場，求帶電粒子不能穿越磁場外邊界的最大速度v₀．

（2）若中空區(qū)域中的帶電粒子以（1）中的最大速度v₀ 從圓心O點沿圓環(huán)半徑方向射入磁場，求帶電粒子從進入磁場開始到第一次回到該點所需要的時間t．

據(jù)有關資料介紹，受控熱核聚變反應裝置中有極高的溫度，因而帶電粒子將沒有通常意義上的容器可裝，而是由磁場約束帶電粒子運動將其束縛在某個區(qū)域內(nèi)，現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題，如圖所示，有一個環(huán)形區(qū)域，其截面內(nèi)半徑為，外半徑為R₂=1． 0 m，區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的勻強磁場，已知磁感應強度B=1．0 T，被束縛粒子的荷質(zhì)比為=4．0×10⁷C/kg，不計帶電粒子在運動過程中的相互作用，不計帶電粒子的重力．

（1）若中空區(qū)域中的帶電粒子沿環(huán)的半徑方向射入磁場，求帶電粒子不能穿越磁場外邊界的最大速度v₀．

（2）若中空區(qū)域中的帶電粒子以（1）中的最大速度v₀ 從圓心O點沿圓環(huán)半徑方向射入磁場，求帶電粒子從進入磁場開始到第一次回到該點所需要的時間t．

據(jù)有關資料介紹，受控熱核聚變反應裝置中有極高的溫度，因而帶電粒子將沒有通常意義上的容器可裝，而是由磁場約束帶電粒子運動將其束縛在某個區(qū)域內(nèi)，現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題，如圖所示，有一個環(huán)形區(qū)域，其截面內(nèi)半徑為，外半徑為R₂=1． 0 m，區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的勻強磁場，已知磁感應強度B=1．0 T，被束縛粒子的荷質(zhì)比為=4．0×10⁷C/kg，不計帶電粒子在運動過程中的相互作用，不計帶電粒子的重力．
（1）若中空區(qū)域中的帶電粒子沿環(huán)的半徑方向射入磁場，求帶電粒子不能穿越磁場外邊界的最大速度v₀．
（2）若中空區(qū)域中的帶電粒子以（1）中的最大速度v₀ 從圓心O點沿圓環(huán)半徑方向射入磁場，求帶電粒子從進入磁場開始到第一次回到該點所需要的時間t．