氮化硅（Si₃N₄）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。

I．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮氦化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一  直接氦化法：在1300~1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氦氣化合，其反應(yīng)方程式為

方法二  化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氦氣、氫氣反應(yīng)生成氦化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氦化硅純度較高，其原因是             。

方法三  Si（NH­₂）₄熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH­₂）₄和一種氣體

          （填分子式）；然后使Si（NH₂）₄受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為              。

II．（1）氨化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氨化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，此鹽中存在的化學(xué)鍵類型有                  。

   （2）已知：25℃，101kPa條件下的熱化學(xué)方程式：

        3Si（s）+2N₂（g）==Si₃N₄（s）   △H=—750.2kJ/mol

        Si（s）+2Cl₂（g）==SiCl₄（g）   △H=—609.6kJ/mol

        H₂（g）+Cl₂（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol

        請(qǐng)寫出四氯化硅氣體與氮?dú)�、氫氣反�?yīng)的熱化學(xué)方程式：

                                                                             。

III．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

    已知：X，高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色。

   （1）原料B的主要成分是               。

   （2）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                  。

   （3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu？   （填“能”或“不能”）。

        寫出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：

        陽(yáng)極：                      ；陰極：                    。

（15分）

氮化硅（Si₃N₄）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途．

I.工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一  直接氮化法：在1300℃-1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�合，其反�?yīng)方程式為             .

方法二  化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)�、氫氣反�?yīng)生成氮化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是           .

方法三  Si(NH₂)₄熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH₂)₄和一種氣體（填分子式）      ；然后使Si(NH₂)₄受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為           ．

II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色．

（1）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                        ．

（2）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液的化學(xué)方程式：                        ．

氮化硅（ Si₃N₄）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途．

I．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一：直接氮化法：在1300℃－1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�合，其反�?yīng)方程式為

                                                                   。

方法二：化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)�、氫氣反�?yīng)生成氮化硅和HC1，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是                   ．

方法三：Si（NH₂）₄熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH₂）₄和一種氣體（填分子式）________；然后使Si（NH₂）₄受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為               。

II．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色．

（1）原料B的主要成分是（寫名稱）                                  。

（2）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                            。

（3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu                （填“能”或“不能”），寫出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：

陽(yáng)極：                             ；陰極：                            。