以還原性為主的非金屬單質(zhì).如:C.H2等,遇強(qiáng)氧化劑如O2.Cl2.HNO3.H2SO4(濃)等時表現(xiàn)出還原性的非金屬單質(zhì).如:S.P等.非金屬單質(zhì)的氧化性與還原性情況: 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(15分)A、G、J均為非金屬單質(zhì),工業(yè)上利用反應(yīng)①來冶煉與A同主族元素G單質(zhì)的粗產(chǎn)品。K為無色液體,D是一種常見金屬,溶于某無氧酸中得到H溶液,該無氧酸的陰離子在同主族元素形成的簡單陰離子中還原性最強(qiáng)(除放射性元素)。其物質(zhì)間轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖:(部分反應(yīng)物和生成物略去)

(1)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式B______, F_______,H______。A和G的最簡單氣態(tài)氫化物中,較穩(wěn)定的物質(zhì)是        (填化學(xué)式),寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式                        

(2)反應(yīng)②是工業(yè)上冶煉金屬D的方法之一,然而目前世界上60%的D單質(zhì)是從海水中提取的。以下是海水中提煉金屬D的簡易流程圖(結(jié)合工業(yè)生產(chǎn)實(shí)際,在括號內(nèi)填寫需要加入物質(zhì)的化學(xué)式,方框內(nèi)填寫生成物質(zhì)的化學(xué)式)

(3)海帶中含有H的陰離子,常用過氧化氫、稀硫酸和淀粉來檢驗(yàn)其陰離子,其主要反應(yīng)的離子方程式為                                           。

(4)寫出G→J的化學(xué)方程式________________________________________,某同學(xué)利用了某技巧首先配平了G和J的系數(shù),下列關(guān)系符合此技巧且正確的是_________

A.反應(yīng)①:F:G=1:1     B.反應(yīng)②:A:D=1:1

C.反應(yīng)③:A:J=2:1     D.反應(yīng)④:E:B =1:1

 

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(15分)A、G、J均為非金屬單質(zhì),工業(yè)上利用反應(yīng)①來冶煉與A同主族元素G單質(zhì)的粗產(chǎn)品。K為無色液體,D是一種常見金屬,溶于某無氧酸中得到H溶液,該無氧酸的陰離子在同主族元素形成的簡單陰離子中還原性最強(qiáng)(除放射性元素)。其物質(zhì)間轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖:(部分反應(yīng)物和生成物略去)

(1)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式B______, F_______, H______。A和G的最簡單氣態(tài)氫化物中,較穩(wěn)定的物質(zhì)是       (填化學(xué)式),寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式                        
(2)反應(yīng)②是工業(yè)上冶煉金屬D的方法之一,然而目前世界上60%的D單質(zhì)是從海水中提取的。以下是海水中提煉金屬D的簡易流程圖(結(jié)合工業(yè)生產(chǎn)實(shí)際,在括號內(nèi)填寫需要加入物質(zhì)的化學(xué)式,方框內(nèi)填寫生成物質(zhì)的化學(xué)式)

(3)海帶中含有H的陰離子,常用過氧化氫、稀硫酸和淀粉來檢驗(yàn)其陰離子,其主要反應(yīng)的離子方程式為                                           。
(4)寫出G→J的化學(xué)方程式________________________________________,某同學(xué)利用了某技巧首先配平了G和J的系數(shù),下列關(guān)系符合此技巧且正確的是_________
A.反應(yīng)①:F:G="1:1    " B.反應(yīng)②:A:D=1:1
C.反應(yīng)③:A:J="2:1    " D.反應(yīng)④:E:B =1:1

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(15分)A、G、J均為非金屬單質(zhì),工業(yè)上利用反應(yīng)①來冶煉與A同主族元素G單質(zhì)的粗產(chǎn)品。K為無色液體,D是一種常見金屬,溶于某無氧酸中得到H溶液,該無氧酸的陰離子在同主族元素形成的簡單陰離子中還原性最強(qiáng)(除放射性元素)。其物質(zhì)間轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖:(部分反應(yīng)物和生成物略去)

(1)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式B______, F_______, H______。A和G的最簡單氣態(tài)氫化物中,較穩(wěn)定的物質(zhì)是        (填化學(xué)式),寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式                         。

(2)反應(yīng)②是工業(yè)上冶煉金屬D的方法之一,然而目前世界上60%的D單質(zhì)是從海水中提取的。以下是海水中提煉金屬D的簡易流程圖(結(jié)合工業(yè)生產(chǎn)實(shí)際,在括號內(nèi)填寫需要加入物質(zhì)的化學(xué)式,方框內(nèi)填寫生成物質(zhì)的化學(xué)式)

(3)海帶中含有H的陰離子,常用過氧化氫、稀硫酸和淀粉來檢驗(yàn)其陰離子,其主要反應(yīng)的離子方程式為                                           

(4)寫出G→J的化學(xué)方程式________________________________________,某同學(xué)利用了某技巧首先配平了G和J的系數(shù),下列關(guān)系符合此技巧且正確的是_________

A.反應(yīng)①:F:G=1:1     B.反應(yīng)②:A:D=1:1

C.反應(yīng)③:A:J=2:1     D.反應(yīng)④:E:B =1:1

 

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(15分)A、G、J均為非金屬單質(zhì),工業(yè)上利用反應(yīng)①來冶煉與A同主族元素G單質(zhì)的粗產(chǎn)品。K為無色液體,D是一種常見金屬,溶于某無氧酸中得到H溶液,該無氧酸的陰離子在同主族元素形成的簡單陰離子中還原性最強(qiáng)(除放射性元素)。其物質(zhì)間轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖:(部分反應(yīng)物和生成物略去)

(1)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式B______, F_______, H______。A和G的最簡單氣態(tài)氫化物中,較穩(wěn)定的物質(zhì)是       (填化學(xué)式),寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式                        。
(2)反應(yīng)②是工業(yè)上冶煉金屬D的方法之一,然而目前世界上60%的D單質(zhì)是從海水中提取的。以下是海水中提煉金屬D的簡易流程圖(結(jié)合工業(yè)生產(chǎn)實(shí)際,在括號內(nèi)填寫需要加入物質(zhì)的化學(xué)式,方框內(nèi)填寫生成物質(zhì)的化學(xué)式)

(3)海帶中含有H的陰離子,常用過氧化氫、稀硫酸和淀粉來檢驗(yàn)其陰離子,其主要反應(yīng)的離子方程式為                                           
(4)寫出G→J的化學(xué)方程式________________________________________,某同學(xué)利用了某技巧首先配平了G和J的系數(shù),下列關(guān)系符合此技巧且正確的是_________
A.反應(yīng)①:F:G="1:1    " B.反應(yīng)②:A:D=1:1
C.反應(yīng)③:A:J="2:1    " D.反應(yīng)④:E:B =1:1

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晶體硅是一種重要的非金屬材料.制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃.請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:
分餾
分餾

(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化

②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
高溫下,普通玻璃會軟化
高溫下,普通玻璃會軟化
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡
先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是
bd
bd

a.碘水b.氯水c.NaOH溶液d.KSCN溶液e.Na2SO3溶液.

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同步練習(xí)冊答案