如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xoy平面x≥0某區(qū)域內(nèi)，有一勻強(qiáng)磁場區(qū)，y軸是磁場左側(cè)的理想邊界，直線NM是磁場右側(cè)的理想邊界，它與y軸的夾角為α。在x≤0的區(qū)域內(nèi)有與坐標(biāo)系xoy在同一平面的勻強(qiáng)電場，方向水平向右，其電場強(qiáng)度的大小為E。有一質(zhì)量為m，帶電量為+q的粒子（粒子的重力不計(jì)），從x軸上的A（－b、0）（b為已知常數(shù)）點(diǎn)由靜止釋放，粒子進(jìn)入磁場后直接從磁場的右邊界射出，粒子射出磁場時(shí)的速度方向垂直于直線NM。已知N點(diǎn)坐標(biāo)為（0、－L），（L為已知常數(shù)）

    （1）求粒子從A點(diǎn)由靜止釋放，直到射出磁場所需的時(shí)間t；

（2）若將粒子從A點(diǎn)右側(cè)某位置釋放，粒子從圖中G點(diǎn)直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NGＤ為銳角；將粒子從A點(diǎn)左側(cè)某位置釋放，粒子從圖中C點(diǎn)直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NCＨ為鈍角，兩次射出時(shí)速度方向的反向延長線即圖中直線HC與DG的反向延長線的夾角為△θ，粒子兩次在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間差為△t，求：的比值。

如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xoy平面x≥0某區(qū)域內(nèi)，有一勻強(qiáng)磁場區(qū)，y軸是磁場左側(cè)的理想邊界，直線NM是磁場右側(cè)的理想邊界，它與y軸的夾角為α。在x≤0的區(qū)域內(nèi)有與坐標(biāo)系xoy在同一平面的勻強(qiáng)電場，方向水平向右，其電場強(qiáng)度的大小為E。有一質(zhì)量為m，帶電量為+q的粒子（粒子的重力不計(jì)），從x軸上的A（－b、0）（b為已知常數(shù)）點(diǎn)由靜止釋放，粒子進(jìn)入磁場后直接從磁場的右邊界射出，粒子射出磁場時(shí)的速度方向垂直于直線NM。已知N點(diǎn)坐標(biāo)為（0、－L），（L為已知常數(shù)）

（1）求粒子從A點(diǎn)由靜止釋放，直到射出磁場所需的時(shí)間t

（2）若將粒子從A點(diǎn)右側(cè)某位置釋放，粒子從圖中G點(diǎn)直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NGD為銳角；將粒子從A點(diǎn)左側(cè)某位置釋放，粒子從圖中C點(diǎn)直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NCＨ為鈍角，兩次射出時(shí)速度方向的反向延長線即圖中直線HC與DG的反向延長線的夾角為△θ，粒子兩次在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間差為△t，求：的比值。

如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xoy平面x≥0某區(qū)域內(nèi)，有一勻強(qiáng)磁場區(qū)，y軸是磁場左側(cè)的理想邊界，直線NM是磁場右側(cè)的理想邊界，它與y軸的夾角為α。在x≤0的區(qū)域內(nèi)有與坐標(biāo)系xoy在同一平面的勻強(qiáng)電場，方向水平向右，其電場強(qiáng)度的大小為E。有一質(zhì)量為m，帶電量為+q的粒子（粒子的重力不計(jì)），從x軸上的A（－b、0）（b為已知常數(shù)）點(diǎn)由靜止釋放，粒子進(jìn)入磁場后直接從磁場的右邊界射出，粒子射出磁場時(shí)的速度方向垂直于直線NM。已知N點(diǎn)坐標(biāo)為（0、－L），（L為已知常數(shù)）

（1）求粒子從A點(diǎn)由靜止釋放，直到射出磁場所需的時(shí)間t；

（2）若將粒子從A點(diǎn)右側(cè)某位置釋放，粒子從圖中G點(diǎn)直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NGＤ為銳角；將粒子從A點(diǎn)左側(cè)某位置釋放，粒子從圖中C點(diǎn)直接射出磁場，且與直線NM所成的角∠NCＨ為鈍角，兩次射出時(shí)速度方向的反向延長線即圖中直線HC與DG的反向延長線的夾角為△θ，粒子兩次在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間差為△t，求：的比值。