50①當(dāng)-15V ＜Uab＜0時(shí). I 近似為零． ②當(dāng) Uab≥0時(shí).U ab和 I 的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見右表． 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（04年江蘇卷）(12分)某同學(xué)對(duì)黑箱(見圖1)中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究。通過正確測量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab(Uab=Ua－Ub)與流過它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律。

        ①當(dāng)－15V<Uab<0V時(shí)，I近為零。②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見下表：

 

編號(hào)

1

2

3

4

5

6

7

Uab/V

0.000

0.245

0.480

0.650

0.705

0.725

0.745

I/mA

0.00

0.15

0.25

0.60

1.70

4.25

7.50

           

 

 

        

（1）在圖2中畫出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線。(可用鉛筆作圖)

（2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是______________________

（3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸入如圖4(甲)所示的方波電壓信號(hào)ucd，請(qǐng)?jiān)趫D4(乙)中定性畫出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形。

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某同學(xué)對(duì)黑箱（如圖16-19-8）中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究.通過正確測量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab（Uab=Ua-Ub）與流過它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律：①當(dāng)-15 V＜Uab＜0時(shí)，I近似為零. ②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見下表：

圖16-19-8

編號(hào)

1

2

3

4

5

6

7

Uab/V

0.000

0.245

0.480

0.650

0.705

0.725

0.745

I/Ma

0.00

0.15

0.25

0.60

1.70

4.25

7.50

（1）在圖16-19-9的坐標(biāo)紙中畫出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線.（可用鉛筆作圖）

圖16-19-9

（2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是________________.

（3）若將此黑箱接入圖16-19-10所示電路中，在該電路的cd兩端輸入如圖16-19-11（甲）所示的方波電壓信號(hào)uCd.請(qǐng)?jiān)趫D16-19-11（乙）中定性畫出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形.

圖16-19-10

圖16-19-11

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（2004?江蘇）某同學(xué)對(duì)黑箱（見圖1）中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究．通過正確測量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab（Uab=Ua-Ub）與流過它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律

①當(dāng)-15V＜Uab＜0V時(shí)，I近似為零．②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見下表：
編號(hào) 1 2 3 4 5 6 7
Uab/V 0.000 0.245 0.480 0.650 0.705 0.725 0.745
I/mA 0.00 0.15 0.25 0.60 1.70 4.25 7.50
（1）在圖2中畫出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線．（可用鉛筆作圖）
（2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是
單向?qū)щ娦?/div>
單向?qū)щ娦?/div>．
（3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸人如圖4（甲）所示的方波電壓信號(hào)Ucd．請(qǐng)?jiān)趫D4（乙）中定性畫出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形．

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某同學(xué)對(duì)黑箱（見圖1）中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究．通過正確測量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab（Uab=Ua-Ub）與流過它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律

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①當(dāng)-15V＜Uab＜0V時(shí)，I近似為零．②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見下表：
編號(hào) 1 2 3 4 5 6 7
Uab/V 0.000 0.245 0.480 0.650 0.705 0.725 0.745
I/mA 0.00 0.15 0.25 0.60 1.70 4.25 7.50
（1）在圖2中畫出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線．（可用鉛筆作圖）
（2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是______．
（3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸人如圖4（甲）所示的方波電壓信號(hào)Ucd．請(qǐng)?jiān)趫D4（乙）中定性畫出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形．

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某同學(xué)對(duì)黑箱（見圖1）中一個(gè)電學(xué)元件的伏安特性進(jìn)行研究．通過正確測量，他發(fā)現(xiàn)該元件兩端的電壓Uab（Uab=Ua-Ub）與流過它的電流I之間的變化關(guān)系有如下規(guī)律

①當(dāng)-15V＜Uab＜0V時(shí)，I近似為零．②當(dāng)Uab≥0時(shí)，Uab和I的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見下表：
編號(hào)1234567
Uab/V0.0000.2450.4800.6500.7050.7250.745
I/mA0.000.150.250.601.704.257.50
（1）在圖2中畫出Uab≥0時(shí)該元件的伏安特性曲線．（可用鉛筆作圖）
（2）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)事實(shí)，該元件具有的特性是______．
（3）若將此黑箱接入圖3電路中，并在該電路的cd兩端輸人如圖4（甲）所示的方波電壓信號(hào)Ucd．請(qǐng)?jiān)趫D4（乙）中定性畫出負(fù)載電阻RL上的電壓信號(hào)uef的波形．

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一、選擇題：選對(duì)的給6分，選錯(cuò)的得0分。

1．B    2．D    3．B    4．B   5．D

6．A    7．D    8．A    9．D   10．D    11． C    12．D

二、選擇題：全部選對(duì)的給6分，選對(duì)但不全的給3分，有選錯(cuò)的得0分。

13．BC   14．C   15．A    16．A   17．D   18．AC

19．（1）(12分)①0.04   左；    ② 1.215     9.375

(2) (6分)

 

．  

   

 

 

 

③ 單向?qū)щ娦?/p>

20. (15分)（1）如圖所示：（3分）

（2）當(dāng)ab桿速度為v時(shí)，感應(yīng)電動(dòng)勢E=BLv，（2分）

此時(shí)電路電流     （2分）

ab桿受到安培力（3分）

根據(jù)牛頓運(yùn)動(dòng)定律，有

  （3分）

解得   （2分）

21．（19分）

  

22．（20分）

解：（1）只有磁場時(shí)，電子作圓周運(yùn)動(dòng)，

軌跡如圖所示，利用幾何作圖，O’是其圓心，

  （2）只有電場時(shí)，電子從MN上的D點(diǎn)離開電場，如圖所示，設(shè)D點(diǎn)橫坐標(biāo)為x

  

  （3）從A點(diǎn)到D點(diǎn)，電場力做正功，由動(dòng)能定理得：

23、（共15分）（1）氧（1分）

（2）                      （2分）；N2 H 4−4e− +4OH−= N 2 +4H2O（2分）

（3）2Cl−−2e−=Cl2↑（2分），升高（2分）；

（4）①NH4Cl（或NH4NO3）（2分），NaOH；（2分）

②c(Cl−)＞c(NH4+)＞c(Na+)＞c(OH−)＞c(H+)或c(NO3−)＞c(NH4+)＞c(Na+)＞c(OH−)＞c(H+)

（2分）

 

 

24、（14分，每空2分）

Ⅰ、 ⑴ S2- + H2OHS- +OH- ；HS- + H2OH2S +OH-；

⑵ 2.7×10-3 ；    ⑶ +172.5 ；

Ⅱ、（1）K＝；   放熱。     (2）1.5×10－3mol/(L?s)。     (3） c。

25．（16分）（1）KClO3（2分）…     H2O2（2分）

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    △
    ②MnO2+4H++2Cl－     Mn2++Cl2↑+2H2O（2分）…  
    ③S2－+Cl2=S↓+2
Cl （2分）  
     ④II 與 III（1分）
    除去氯氣中的水蒸氣（或干燥氯氣）（2分）…
    （3）Cl2+H2O2   2HCl+O2…（2分）
    26．Ⅰ．（每空2分，共16分）
    1．（1）①NaOH溶液   ②遮光
    （2）①NaHCO3溶液，裝置乙作對(duì)照�、诠庹粘渥恪囟认嗤沫h(huán)境中
    （3）左、右
    2．4    84
    Ⅱ．（每空2分，共10分）
    （1） B    
    （2）吞噬細(xì)胞、T細(xì)胞、B細(xì)胞、漿細(xì)胞（效應(yīng)B細(xì)胞）（寫全才得分）
    （3）體內(nèi)快速產(chǎn)生大量抗體
    將未經(jīng)免疫的大小、體質(zhì)大致一致的小鼠注射等量的毒性極強(qiáng)的霍亂弧菌制劑
    （4）不吃未煮熟的魚類和貝殼類食物（或不生吃），或接種霍亂疫苗（答對(duì)1點(diǎn)即給分）
    27．(每空2分，共14分)
    （1）基因突變   不定向的   基因分離
    （2） ①青毛┱白毛大致等于1┱1；   ②b1>b3>b2>b4       ③b3>b1>b2>b4  

    （3）Bb4
    28.（1）D  （2）C    
    29. (1)C  (2)D
     
    30.（共13分）
     (1)   ⑧應(yīng)為黑色。（2分）
    (2)燃燒時(shí)，電子獲得能量，從內(nèi)層軌道躍遷到外層軌道。躍遷到新軌道的電子處在一種不穩(wěn)定的狀態(tài)，隨即躍遷回原來軌道，并向外界釋放能量（光能）。（3分）
      (3)   NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，所以NaF與MgF2遠(yuǎn)比SiF4要高。又因?yàn)镸g2+的半徑小于Na+的半徑，所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，故MgF2的熔點(diǎn)大于NaF。（3分）
     (4)  ①σ（2分）
    ②a中X和w微粒間的相互作用力為氫鍵，b中X和 Cu（I）微粒間的相互作用力為配位鍵。 （3分）
    31．（共13分）（1）① 羧基、羥基（酚羥基）（2分）        
② CD（2分）
    （2）4        
（2分）
    （3）①                                        
（2分）
    ②（2分）酯化（取代）反應(yīng)（1分）  ③                     

    32．（10分）【現(xiàn)代生物科技專題】
    （1）早期胚胎培養(yǎng)（受精卵培養(yǎng)）      胚胎移植     
囊胚（桑椹胚）
    （2）協(xié)調(diào)與平衡原理   物質(zhì)循環(huán)再生原理
     
     
     
     
    		
    
	
	
    
		
    


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