15．如圖所示.磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的寬度都是d1.相鄰磁場(chǎng)區(qū)域的間距均為d2.x軸的正上方有一電場(chǎng)強(qiáng)度為E.方向與x軸和磁場(chǎng)均垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域．現(xiàn)將質(zhì)量為m.帶電荷量為+q的粒子從x軸正上方高h(yuǎn)處自由釋放．(1)求粒子在磁場(chǎng)區(qū)域做圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑r．(2)若粒子只經(jīng)過(guò)第1個(gè)和第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域回到x軸.則粒子從釋放到回到x軸所需要的時(shí)間t為多少? 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的寬度都是d1，相鄰磁場(chǎng)區(qū)域的間距均為d2，x軸的正上方有一電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E，方向與x軸和B均垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域，將質(zhì)量為m、帶正電量為q的粒子（重力忽略不計(jì)）從y軸上坐標(biāo)為h處由靜止釋放．求：
（1）粒子在磁場(chǎng)區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑．
（2）若粒子經(jīng)磁場(chǎng)區(qū)域I、II后回到x軸，則粒子從開(kāi)始釋放經(jīng)磁場(chǎng)后第一次回到x軸需要的時(shí)間和位置坐標(biāo)．
（3）若粒子從y軸上坐標(biāo)為H處以初速度v0沿x軸正方向水平射出，此后運(yùn)動(dòng)中最遠(yuǎn)能到達(dá)第k個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域的下邊緣，并再次返回到x軸，求d1、d2的值．

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如圖所示，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的寬度都是d1，相鄰磁場(chǎng)區(qū)域的間距均為d2，x軸的正上方有一電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E，方向與x軸和B均垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域，將質(zhì)量為m、帶正電量為q的粒子（重力忽略不計(jì)）從y軸上坐標(biāo)為h處由靜止釋放．求：
（1）粒子在磁場(chǎng)區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑．
（2）若粒子經(jīng)磁場(chǎng)區(qū)域I、II后回到x軸，則粒子從開(kāi)始釋放經(jīng)磁場(chǎng)后第一次回到x軸需要的時(shí)間和位置坐標(biāo)．
（3）若粒子從y軸上坐標(biāo)為H處以初速度v0沿x軸正方向水平射出，此后運(yùn)動(dòng)中最遠(yuǎn)能到達(dá)第k個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域的下邊緣，并再次返回到x軸，求d1、d2的值．

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如圖所示，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的寬度都是d1，相鄰磁場(chǎng)區(qū)域的間距均為d2，x軸的正上方有一電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E，方向與x軸和B均垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域。將質(zhì)量為m、帶正電量為q的粒子從x軸正上方h高度處自由釋放。（重力忽略不計(jì)）
（1）求粒子在磁場(chǎng)區(qū)域做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r；
（2）若粒子只經(jīng)過(guò)第1和第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域回到x軸，求自釋放到回到x軸所需要的時(shí)間t1。
（3）若粒子以初速度v0從h處沿x軸正方向水平射出后，最遠(yuǎn)到達(dá)第k個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域并回到x軸，求d1、d2應(yīng)該滿(mǎn)足的條件。

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如圖所示，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的寬度都是d1，相鄰磁場(chǎng)區(qū)域的間距均為d2，x軸的正上方有一電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E，方向與x軸和B均垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域。將質(zhì)量為m、帶正電量為q的粒子從x軸正上方h高度處自由釋放。（重力忽略不計(jì)）
(1)求粒子在磁場(chǎng)區(qū)域做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r；
(2)若粒子只經(jīng)過(guò)第1和第2個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域回到x軸，求自釋放到回到x軸所需要的時(shí)間t；
(3)若粒子以初速度v0從h處沿x軸正方向水平射出后，最遠(yuǎn)到達(dá)第k個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域并回到x軸，求d1、d2應(yīng)該滿(mǎn)足的條件。

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如圖所示，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的寬度都是d1，相鄰磁場(chǎng)區(qū)域的間距均為d2，x軸的正上方有一電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E，方向與x軸和B均垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域，將質(zhì)量為m、帶正電量為q的粒子（重力忽略不計(jì)）從y軸上坐標(biāo)為h處由靜止釋放．求：
（1）粒子在磁場(chǎng)區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑．
（2）若粒子經(jīng)磁場(chǎng)區(qū)域I、II后回到x軸，則粒子從開(kāi)始釋放經(jīng)磁場(chǎng)后第一次回到x軸需要的時(shí)間和位置坐標(biāo)．
（3）若粒子從y軸上坐標(biāo)為H處以初速度v沿x軸正方向水平射出，此后運(yùn)動(dòng)中最遠(yuǎn)能到達(dá)第k個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域的下邊緣，并再次返回到x軸，求d1、d2的值．

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