(20)一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框.其質(zhì)量為m.回路電阻為R.圖中M.N.P為磁場區(qū)域的邊界.且均為水平.上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強度均為B.方向如圖所示. 圖示位置線框的底邊與M重合. 現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落.線框在穿過N和P兩界面的過程中均為勻速運動. 若已知M.N之間的高度差為h1.h2>L. 線框下落過程中線框平面始終保持豎直.底邊結(jié)終保持水平.重力加速度為g. 求: 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R,圖中M、N、P為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強度均為B,方向如圖所示. 圖示位置線框的底邊與M重合.現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過N和P兩界面的過程中均為勻速運動.若已知M、N之間的高度差為h1,h1>L,線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊始終保持水平,重力加速度為g.求:
(1)N與P之間的高度差h2;
(2)在整個運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R.圖中M、NP為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強度均為B,方向如圖所示. 圖示位置線框的底邊與M重合. 現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過NP兩界面的過程中均為勻速運動. 若已知M、N之間的高度差為h1h2>L. 線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊結(jié)終保持水平,重力加速度為g. 求:

   (1)NP之間的高度差h2;

   (2)在整個運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R,圖中M、N、P為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強度均為B,方向如圖所示,圖示位置線框的底邊與M重合,現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過N和P兩界面的過程中均為勻速運動,若已知M、N之間的高度差為h1,h1>L,線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊始終保持水平,重力加速度為g,求:

(1)N與P之間的高度差h2;

(2)在整個運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱。

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用密度為d、電阻率為ρ、橫截面積為A的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形方框abb'd'。如圖所示,金屬方框水平放在磁極的狹縫間,方框平面與磁場方向平行。設(shè)勻強磁場僅存在于相對的磁極之間,其他地方的磁場忽略不計?烧J為方框的aa'邊和bb'邊都處在磁極之間,磁極間磁感應(yīng)強度大小為B。方框從靜止開始釋放,其平面在下落過程中保持水平(不計空氣阻力)。已知金屬直導(dǎo)線的電阻R=ρ,其中ρ為金屬的電阻率,l為導(dǎo)線的長度,A為導(dǎo)線的橫截面積。
(1)求方框下落的最大速度vm(設(shè)磁場區(qū)域在豎直方向足夠長);
(2)當(dāng)方框下落的加速度為時,求方框的發(fā)熱功率P;
(3)從靜止開始,方框下落高度為h時,所用時間為t,速度為vt(vt<vm)。若在同一時間t內(nèi),方框內(nèi)產(chǎn)生的電熱與一恒定電流I0在該框內(nèi)產(chǎn)生的電熱相同,求恒定電流I0的表達式。

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(14分)用密度為d、電阻率為ρ、橫截面積為A的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形方框。如圖所示,金屬方框水平放在磁極的狹縫間,方框平面與磁場方向平行。設(shè)勻強磁場僅存在于相對的磁極之間,其他地方的磁場忽略不計?烧J為方框的邊和邊都處在磁極之間,磁極間磁感應(yīng)強度大小為B。方框從靜止開始釋放,其平面在下落過程中保持水平(不計空氣阻力)。已知金屬直導(dǎo)線的電阻R=ρ,其中ρ為金屬的電阻率,l為導(dǎo)線的長度,A為導(dǎo)線的橫截面積。

(1)求方框下落的最大速度vm(設(shè)磁場區(qū)域在豎直方向足夠長);

(2)當(dāng)方框下落的加速度為時,求方框的發(fā)熱功率P;

(3)從靜止開始,方框下落高度為h時,所用時間為t,速度為vtvtvm)。若在同一時間t內(nèi),方框內(nèi)產(chǎn)生的電熱與一恒定電流I0在該框內(nèi)產(chǎn)生的電熱相同,求恒定電流I0的表達式。

 

 


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