在穿過N的過程中線框中產(chǎn)生的電動勢E=2BLv1 線框中產(chǎn)生的電流I=E/R=2BLv1/R 線框受到的安培力F=2BIL=4B2L2v1/R 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R,圖中M、N、P為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強度均為B,方向如圖所示. 圖示位置線框的底邊與M重合.現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過N和P兩界面的過程中均為勻速運動.若已知M、N之間的高度差為h1,h1>L,線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊始終保持水平,重力加速度為g.求:
(1)N與P之間的高度差h2;
(2)在整個運動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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如圖所示,放在傾角為30°的固定斜面上的正方形導(dǎo)線框abcd與重物之間用足夠長的細線跨過光滑的輕質(zhì)定滑輪連接,線框的邊長為L、質(zhì)量為m、電阻為R,重物的質(zhì)量為m。現(xiàn)將線框沿bc方向拋出,穿過寬度為D、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場,磁場的方向垂直斜面向上.線框向下離開磁場時的速度剛好是進人磁場時速度的n大于1),線框離開磁場后繼續(xù)下滑一段距離,然后上滑并勻速進人磁場.線框與斜面間的動摩擦因數(shù)為,不計空氣阻力,整個運動過程中線框始終與斜面平行且不發(fā)生轉(zhuǎn)動,斜細線與bc邊平行,cd邊磁場邊界平行.求:
⑴線框在上滑階段勻速進人磁場時的速度υ2大小;
⑵線框在下滑階段剛離開磁場時的速度υ1大;
⑶線框在下滑階段通過磁場過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q


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精英家教網(wǎng)如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場區(qū)域,MN和M'N'是勻強磁場區(qū)域的水平邊界,并與線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直.現(xiàn)金屬線框由距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強磁場區(qū)域的v-t圖象.已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖象中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量(下落過程中線框abcd始終在豎直平面內(nèi),且bc邊始終水平).根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是( 。
A、可以求出金屬線框的邊長B、線框穿出磁場時間(t4-t3)等于進入磁場時間(t2-t1C、線框穿出磁場與進入磁場過程所受安培力方向相同D、線框穿出磁場與進入磁場過程產(chǎn)生的焦耳熱相等

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如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強磁場區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強磁場區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說法正確的是      (    )

    A.可以求出金屬框的邊長

    B.線框穿出磁場時間(t1—t3)等于進入磁場時間(t2—t1)

    C.線框穿出磁場與進入磁場過程所受安培力方向相同

    D.線框穿出磁場與進入磁場過程產(chǎn)生的焦耳相等

 

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如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R。在金屬線框的下方有一勻強磁場區(qū)域,MN和M′N′是勻強磁場區(qū)域的水平邊界,并與線框的bc邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框由距MN的某一高度從靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過勻強磁場區(qū)域瞬間的速度-時間圖象,圖象中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字母均為已知量?芍

A.金屬框初始位置的bc邊到邊界MN的高度為v1t1
B.金屬框的邊長為
C.磁場的磁感應(yīng)強度為
D.在進入磁場過程中金屬框產(chǎn)生的熱為mgv1(t2-t1

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