單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料.通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅.粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅.四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅.以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖. 相關(guān)信息如下: a.四氯化硅遇水極易水解, b.硼.鋁.鐵.磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物, c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表: 請回答下列問題: (1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式 . (2)裝置A中g(shù)管的作用是 ,裝置C中的試劑是 ,裝置E中的h瓶需要冷卻理由是 . (3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾得到高純度四氯化硅.精餾后的殘留物中.除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是 . (4)為了分析殘留物中鐵元素的含量.先將殘留物預處理.是鐵元素還原成Fe2+ .再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定.反應(yīng)的離子方程式是: ①滴定前是否要滴加指示劑? .請說明理由 . ②某同學稱取5.000g殘留物.預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液.移取25.00ml.試樣溶液.用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標準溶液滴定.達到滴定終點時.消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分數(shù)是 . 答案(1)MnO2 + 4H+ + 2Cl-Mn2+ + Cl2↑ + 2H2O (2)平衡壓強 濃硫酸 使SiCl4 冷凝 (3)Al.P.Cl (4)①否,KMnO4溶液自身可作指示劑, ②4.480% [解析]制備四氯化硅的原料為Cl2和Si.A裝置為Cl2的制備裝置.B.C裝置為除雜裝置.先用B除去HCl.再用C(濃H2SO4)除去H2O蒸氣.Cl2通入粗硅中反應(yīng).用冷水將產(chǎn)生SiCl4冷凝即可.(1)制取氯氣用濃鹽酸和MnO2在加熱條件下反應(yīng).(2)g管是將分液漏斗與燒瓶相連.則它們中的壓強是相待的.這樣便于鹽酸能順利滴下.SiCl4的沸點很低.只有57.7℃.而反應(yīng)的溫度達幾百度.故需要冷凝收集.(3)從物質(zhì)的物理性質(zhì)表可發(fā)現(xiàn).AlCl3,FeCl3和PCl5均易升華.故還應(yīng)還有Al.P.Cl元素.(4)由于高錳酸鉀本身是紫紅色的.與Fe2+反應(yīng)時.可以褪色.故而可以作為指示劑.根據(jù)方程式可以找出關(guān)系.5Fe2+~MnO4- ,n(Fe)= 10-2×20×10-3×5×100/25 =4×10-3mol.W (Fe)= 4×10-3×56/5 ×100% =4.48%. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(15分)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500°C),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:www.ks5.u.com

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是               ;裝置C中的試劑是          ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              (填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?            (填“是”或“否”),請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物,預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol? L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分數(shù)是            。

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(15分)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500°C),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是               ;裝置C中的試劑是          ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              (填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?            (填“是”或“否”),請說明理由          

②某同學稱取5.000g殘留物,預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol? L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分數(shù)是           

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單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

物質(zhì)

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl下標5

沸點/℃

57.7

12.8

315

熔點/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式____________。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是____________;裝置C中的試劑是;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是____________________________________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是____________(填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:5Fe2++MnO-4+8H+====5Fe3++Mn2++4H2O

①滴定前是否要滴加指示劑?________(填“是”或“否”),請說明理由__________________。

②某同學稱取5.000 g殘留物,經(jīng)預處理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL試樣溶液,用1.000×10-2 mol·L-1 KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分數(shù)是________________。

 

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單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500°C),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:www.ks5.u.com

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是               ;裝置C中的試劑是          ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              (填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?            (填“是”或“否”),請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物,預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分數(shù)是            。

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單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500°C),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  

(2)裝置A中g(shù)管的作用是               ;裝置C中的試劑是          ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              (填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?            (填“是”或“否”),請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物,預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分數(shù)是            。

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