題目列表(包括答案和解析)
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酸 | 鐵銹[Fe(OH)3]溶解量/g | 水垢(CaCO3)溶解量/g |
鹽酸 | 0.7911 | 全溶 |
磷酸 | 0.1586 | 微溶 |
草酸 | 0.7399 | 0.0036 |
醋酸 | 0.1788 | 0.1655 |
常溫下,可發(fā)生反應(yīng):A(g)+B(g)?C(g)+xD(g) 若將2mol A和2mol B 混合充入體積可變的密閉容器中,在不同壓強(qiáng)下達(dá)到平衡時(shí),C的濃度如下:
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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1) 制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:
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①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式 。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式 ;H2還原SiHCl3過(guò)程中若混02,可能引起的后果是 。
(2)下列有關(guān)說(shuō)法正確的是 (填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.普通玻璃的成分有純堿、石灰石和石英砂,其熔點(diǎn)很高
D.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入鹽酸溶液,振蕩,則反應(yīng)的離子方程式是 。
題號(hào)
1
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答案
B
D
A
A
C
D
B
D
B
B
AC
AD
BC
C
15.(10分,每空2分)
(1)過(guò)濾(洗滌) ; 蒸發(fā)濃縮、冷卻結(jié)晶,過(guò)濾
(2)連接好裝置,從漏斗向量氣筒內(nèi)注入一定量的水,移動(dòng)漏斗使左、右兩側(cè)形成液面高度差。靜置后,液面高度不再變化,即表明氣密性良好。(其他合理方法均給分)
(3)移動(dòng)漏斗保持左、右兩側(cè)液面相平 (4)%(2分)
16.(8分)(1)Al
(2)1.204×1024(或2NA)(2分) (3)4NH3+5O24NO+6H2O(2分)
(4)AlO2-+CO2+2H2O=Al(OH)3↓+HCO3-(2分);
17.(10分,每空2分) (1)HC2O4-+ OH―= C2O42-+ H2O (2)>
(3)H2C2O4 CO↑+CO2↑+H2O
(4)溫度過(guò)低反應(yīng)速率緩慢;溫度過(guò)高時(shí),H2C2O4在酸性溶液中會(huì)部分分解。(每個(gè)點(diǎn)1分 共2分)
(5)C
18.(10分)(1)保護(hù)臭氧層(1分)
(3)A(2分)
②CO2(g)+3H2(g) CH3OH(g)+H2O(g) ΔH=-49.47kJ•mol-1(2分)
(5)B或D(B、D都選給分)(1分)
19.(12分,每空2分)
(1)反應(yīng)①:加成反應(yīng);反應(yīng)④:取代反應(yīng)(2) A:CH3CCN; G:
(3)B→C;CH3CCOOH CH2=CCOOH+H2O
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