Question

通常人們把拆開1mol 某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。  
化學(xué)鍵    Si—O    Si—Cl    H—H    H—Cl    Si—Si    Si—C 
鍵能/ kJ?mol—1    460    360    436    431    176    347 
請回答下列問題： 
⑴ 比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填＞或＜） 
SiC______ Si； SiCl4 ______ SiO2 
⑵ 圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子， 請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。   
⑶ 工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。� SiCl4 (g) + 2H2(g)   Si(s) + 4HCl(g)；該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H = ___________ KJ/mol

Answer 1

（1）＞ ＜ 
（2）如下圖

本題主要考查鍵能的大小與物質(zhì)性質(zhì)及反應(yīng)熱之間的關(guān)系。
(1)SiC與Si皆為原子晶體，由于Si—C的鍵能大于Si—Si的鍵能，故SiC的熔點(diǎn)比Si高；SiCl₄為分子晶體，SiO₂為原子晶體，前者的熔點(diǎn)低于后者。
(2)根據(jù)硅原子與硅原子可形成4個(gè)相等的硅硅鍵可知除立方體中心的硅原子處，與它相鄰的硅原子應(yīng)處于可形成正四面體的4個(gè)頂點(diǎn)上。