A. | 金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅 | B. | I2>Br2>Cl2>F2 | ||
C. | H2Te>H2Se>H2S>H2O | D. | 金剛石>CsCl>NaCl>鈉 |
分析 A.原子晶體中共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,熔、沸點(diǎn)越大;
B.鹵族元素中,原子序數(shù)越大,單質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高;
C.水分子間存在氫鍵;
D.離子晶體的熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比.
解答 解:A.原子晶體中共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,熔、沸點(diǎn)越大,則熔、沸點(diǎn)為金剛石>二氧化硅>碳化硅>晶體硅,故A錯(cuò)誤;
B.鹵素單質(zhì)中,原子序數(shù)越大,對(duì)應(yīng)單質(zhì)的熔沸點(diǎn)越大,則熔沸點(diǎn)大小為:I2>Br2>Cl2>F2,故B正確;
C.水分子間存在氫鍵,所以熔沸點(diǎn)高低順序是H2O>H2Te>H2Se>H2S,故C錯(cuò)誤;
D.離子晶體中,熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比,鈉離子、銫離子和氯離子都帶一個(gè)單位電荷,且銫離子半徑大于鈉離子,則熔沸點(diǎn)NaCl>CsCl,故D錯(cuò)誤;
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查常見(jiàn)物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低判斷,題目難度不大,明確晶體類型及晶體熔沸點(diǎn)高低影響因素即可解答,試題培養(yǎng)了學(xué)生靈活應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)的能力.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | NH3 | B. | H2O | C. | HCl | D. | CCl4 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | H、Be、B 原子最外層電子數(shù)依次增多 | |
B. | P、S、Cl 元素最高正化合價(jià)依次升高 | |
C. | F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)依次降低 | |
D. | Li、Na、K、Rb的金屬性依次增強(qiáng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 甲酸溶液導(dǎo)電性比乙酸溶液導(dǎo)電性強(qiáng),說(shuō)明乙酸是弱酸 | |
B. | 硫酸鉀溶于水能導(dǎo)電,所以硫酸鉀是電解質(zhì) | |
C. | 強(qiáng)電解質(zhì)一定是含有離子鍵,弱電解質(zhì)中一定含弱極性共價(jià)鍵 | |
D. | 固態(tài)磷酸是電解質(zhì),所以磷酸在熔融狀態(tài)下和水溶液中都能導(dǎo)電 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在蔗糖中加入濃硫酸后出現(xiàn)發(fā)黑的現(xiàn)象,說(shuō)明濃硫酸具有脫水性 | |
B. | Na的金屬活動(dòng)性比Mg強(qiáng),說(shuō)明可用Na與MgCl2溶液反應(yīng)制Mg | |
C. | 常溫下,濃硝酸可以用鋁罐貯存,說(shuō)明鋁與濃硝酸反應(yīng)生成了致密的氧化物 | |
D. | 向碘水中滴加CCl4,振蕩?kù)o置后分層,下層呈紫紅色,說(shuō)明可用CCl4從碘水中萃取碘 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | N2、H2的濃度之比保持不變 | |
B. | N2和H2的反應(yīng)速率之比為1:3 | |
C. | NH3的生成速率與H2的生成速率之比為2:3 | |
D. | 體系中N2、H2、NH3的分子個(gè)數(shù)之比為1:3:2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1:5 | B. | 1:4 | C. | 3:2 | D. | 5:1 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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