Question

已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如表： MgO Al2O3 MgCl2 AlCl3 熔點(diǎn)（℃） 2852 2072 714 190（2.5atm） 沸點(diǎn)（℃） 3600 2980 1412 182.7 下列說法中錯(cuò)誤的是（　�。�

A．工業(yè)用電解熔融態(tài)的MgCl₂的方法來制取金屬鎂

B．工業(yè)在用電解法制金屬鋁時(shí)加入了冰晶石，是因?yàn)檠趸�鋁的熔點(diǎn)太高

C．AlCl₃的熔、沸點(diǎn)比Al₂O₃低，是因?yàn)锳lCl₃的離子鍵弱于Al₂O₃的離子鍵

D．Al₂O₃的熔沸點(diǎn)低于MgO，說明影響離子化合物熔沸點(diǎn)的因素不僅僅是離子電荷與離子半徑，還有其他因素

Answer 1

分析：由表中數(shù)據(jù)可知AlCl₃為共價(jià)鍵化合物，MgO、Al₂O₃、MgCl₂為離子化合物，電解時(shí)盡量選用熔點(diǎn)較低的離子化合物，以節(jié)省能源，影響離子晶體熔沸點(diǎn)高低的因素有離子半徑和電荷因素，以此解答該題．

解答：解：A．MgCl₂的熔點(diǎn)為MgO低，且都為離子化合物，能導(dǎo)電，則工業(yè)用電解熔融態(tài)的MgCl₂的方法來制取金屬鎂，故A正確；
B．氧化鋁的熔點(diǎn)太高，為降低熔點(diǎn)，節(jié)省能源，可加入了冰晶石，降低氧化鋁的熔點(diǎn)，故B正確；
C．AlCl₃為共價(jià)鍵化合物，不存在離子鍵，故C錯(cuò)誤；
D．影響離子晶體熔沸點(diǎn)高低的因素有離子半徑和電荷因素，鋁離子半徑比鎂離子小，且?guī)щ姾奢^大，理論上應(yīng)是氧化鋁熔點(diǎn)高于氧化鎂，但Al₂O₃的熔沸點(diǎn)低于MgO，說明影響離子化合物熔沸點(diǎn)的因素不僅僅是離子電荷與離子半徑，還有其他因素，故D正確．
故選C．

點(diǎn)評(píng)：本題考查較為綜合，涉及電解原理和晶體類型的判斷，綜合考查學(xué)生的分析能力和自學(xué)能力，為高考常見題型，難度中等．