【題目】下列儀器中①漏斗;②容量瓶;③蒸餾燒瓶;④天平;⑤分液漏斗;⑥燃燒匙,常用于物質(zhì)分離的是 ( )
A. ①③④ B. ①②⑥ C. ①③⑤ D. ③④⑥
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【題目】下列說法正確的是 ( )
A.物質(zhì)的量可理解為物質(zhì)的質(zhì)量
B.物質(zhì)的量就是物質(zhì)的粒子數(shù)目
C.物質(zhì)的量是度量物質(zhì)所含微觀粒子多少的一個物理量
D.物質(zhì)的量的單位——摩爾,只適用于分子、原子和離子
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【題目】下列有關(guān)儀器用途的說法正確的是 ( )
A. 試管、燒杯均可用于給液體、固體加熱
B. 使食鹽水中NaCl結(jié)晶析出時,用到的儀器有坩堝、酒精燈、玻璃棒、泥三角
C. 區(qū)別NaCl、Na2SO4時常用到膠頭滴管、試管
D. 漏斗不可用于過濾溶液
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【題目】已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,且原子序數(shù)依次增大,其中A原子核外有三個未成對電子;A與B可形成離子化合物B3A2;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D原子核外的M層中有兩對成對電子;E原子核外最外層只有1個電子,其余各層電子均充滿。請根據(jù)以上信息,回答下列問題(答題時,A、B、C、D、E用所對應(yīng)的元素符號表示):
(1)比E核外電子數(shù)少5的元素的原子核外電子排布式是,A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為。
(2)B的氯化物的熔點遠高于C的氯化物的熔點,理由是。
(3)A的氫化物屬于(填“極性”或“非極性”)分子,D的低價氧化物分子的空間構(gòu)型是。
(4)A、E形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為(每個球均表示1個原子)。
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【題目】用下列實驗裝置進行相應(yīng)實驗,能達到實驗?zāi)康牡氖牵?)
A.用圖1所示裝置除去Cl2中含有的少量HCl
B.用圖2所示裝置蒸干NH4Cl飽和溶液制備NH4Cl晶體
C.用圖3所示裝置制取少量純凈的CO2氣體
D.用圖4所示裝置分離CCl4萃取碘水后已分層的有機層和水層
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【題目】下列有關(guān)除雜質(zhì)(括號中為雜質(zhì))的操作中,錯誤的是( )
A. 乙醇(水):加新制生石灰,蒸餾,收集餾出物
B. 溴乙烷(乙醇):多次加水振蕩,分液,棄水層
C. 苯(苯酚):加溴水,振蕩,過濾除去沉淀
D. 乙酸乙酯(乙酸):加飽和碳酸鈉溶液,充分振蕩,分液,棄水層
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【題目】X、Y、Z、W四種物質(zhì)的轉(zhuǎn)化關(guān)系.下列組合中不符合該關(guān)系的是( )
A.A
B.B
C.C
D.D
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【題目】硅是帶來人類文明的重要元素之一,從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個有一個奇跡.
(1)新型陶瓷Si3N4的熔點高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法,在H2的保護下,使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 .
(2)一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如圖:
①凈化N2和H2時,銅屑的作用是:;硅膠的作用是 .
②在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=﹣727.5kJ/mol,開始時為什么要嚴(yán)格控制氮氣的流速以控制溫度;體系中要通入適量的氫氣是為了 .
③X可能是(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(3)工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅:
①整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng),寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 .
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅,且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失,反應(yīng)Ⅰ中HCl的利用率為90%,反應(yīng)Ⅱ中H2的利用率為93.75%.則在第二輪次的生產(chǎn)中,補充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是 .
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