17．下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．Ca2+、K+、Cl-、S2-四種離子的半徑依次減小
B．熔融的NaHSO4中陰陽(yáng)離子的數(shù)目比為1：2
C．氫化鋰三兄弟--LiH、LiD、LiT三種物質(zhì)的質(zhì)子數(shù)之比為4：5：6
D．一個(gè)乙醛分子中存在7對(duì)共用電子

分析 A、電子層越多，半徑越大，核內(nèi)質(zhì)子數(shù)越多，半徑越�。�
B、熔融的NaHSO4中存在鈉離子和硫酸氫根離子；
C、質(zhì)子數(shù)是構(gòu)成微粒的各個(gè)原子數(shù)的質(zhì)子數(shù)之和；
D、根據(jù)乙醛分子的結(jié)構(gòu)式來(lái)判斷電子對(duì)數(shù)．

解答 解：A、電子層越多，半徑越大，核內(nèi)質(zhì)子數(shù)越多，半徑越小，所以Ca2+、K+、Cl-、S2-四種離子的半徑依次增大，故A錯(cuò)誤；
B、熔融的NaHSO4中存在鈉離子和硫酸氫根離子，陰陽(yáng)離子的數(shù)目比為1：1，故B錯(cuò)誤；
C、LiH、LiD、LiT三種物質(zhì)的質(zhì)子數(shù)之比為1：1：1，故C錯(cuò)誤；
D、乙醛分子存在4個(gè)C-H鍵，一個(gè)C=O，一個(gè)C-C鍵，即存在7對(duì)共用電子，故D正確．
故選D．

點(diǎn)評(píng) 本題綜合考查元素周期律的應(yīng)用、原子結(jié)構(gòu)和元素的性質(zhì)等綜合知識(shí)，注意知識(shí)的歸納和梳理是關(guān)鍵，難度中等．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

7．只含C、H、O三種元素的有機(jī)物W，其蒸氣的密度是NH3的6倍（相同條件下），取一定量的有機(jī)物W完全燃燒，生成CO2和H2O的質(zhì)量比為22：9，則W能發(fā)生水解反應(yīng)的結(jié)構(gòu)（不考慮立體結(jié)構(gòu)） 共有（　　）
A．11種B．10種C．9種D．8種

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

8．無(wú)論是從在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的地位來(lái)看，還是從科學(xué)發(fā)展的角度來(lái)看，硅都發(fā)揮著重要的作用．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）人類使用硅酸鹽產(chǎn)品（陶瓷等）的歷史已經(jīng)快一萬(wàn)年了，但在1823年才獲得單質(zhì)硅，瑞典化學(xué)家貝采利烏斯用金屬鉀還原SiF4獲得單質(zhì)硅，寫出化學(xué)方程式：
4K+SiF4═Si+4KF．
（2）由于制取方法和條件的不同，得到的單質(zhì)硅形態(tài)不同，其性質(zhì)也不同．
①用鋁熱法還原氟硅酸鉀制得較純凈的晶體硅：
4Al+3K2SiF6$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$3Si+2KAlF4+2K2AlF5，關(guān)于該反應(yīng)的說(shuō)法正確的是AC（填序號(hào)）．
A．Al是還原劑                     B．氧化產(chǎn)物只有KAlF4
C．每轉(zhuǎn)移6NA電子，得到42g Si     D．Al元素在KAlF4和K2AlF5中化合價(jià)不同
②用白砂子與鎂粉混合在高溫條件下得到無(wú)定形硅，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：2Mg+SiO2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2MgO．
③無(wú)定形硅和晶體硅的結(jié)構(gòu)有很大的差別，無(wú)定形硅為棕色粉末，而晶體硅是純灰色、不透明而有光澤的等軸八面晶體，無(wú)定形硅的化學(xué)性質(zhì)比晶體硅活潑得多．通過(guò)上述描述你能得出的結(jié)論是結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)，當(dāng)結(jié)構(gòu)不同時(shí)，物質(zhì)的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)可能存在較大差別．
（3）硅在煉鋼時(shí)用作脫氧劑，還原在冶煉過(guò)程中所形成的FeO，化學(xué)方程式為Si+2FeO$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiO2+2Fe．
（4）在野外，為了迅速得到氫氣，用硅粉與干燥的Ca（OH）2和NaOH混合，并加強(qiáng)熱，即可迅速得到H2、Na2SiO3、CaO．這種混合物叫做生氫劑．請(qǐng)寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：Si+2NaOH+Ca（OH）2=Na2SiO3+CaO+2H2↑．
（5）單晶硅制作的半導(dǎo)體元件表面鍍膜，使各元件之間彼此絕緣，以防短路，表面氧化（生成一氧化硅）技術(shù)前景廣闊．以上信息說(shuō)明一氧化硅具有絕緣性，用電解法對(duì)硅表面處理生成SiO薄膜時(shí)，硅應(yīng)作電解池的陽(yáng)極．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：實(shí)驗(yàn)題

5．銅的氯化物是重要的化工原料，廣泛地用作有機(jī)合成催化劑．
實(shí)驗(yàn)室中以粗銅（含雜質(zhì)Fe）為原料，某種制備銅的氯化物的流程如圖1．
按要求回答下列問(wèn)題：
（1）在進(jìn)行操作①之前，要確認(rèn)溶液中雜質(zhì)已經(jīng)完全沉淀，檢驗(yàn)的具體操作和現(xiàn)象是充分?jǐn)嚢�，靜置；取少許上層清液于試管中再滴加KSCN溶液，若無(wú)變化即雜質(zhì)被完全除掉  ．
（2）上述流程中，所得固體1需要加稀鹽酸溶解，其理由是抑制氯化銅、氯化鐵水解 ；
（3）溶液1可加試劑X用于調(diào)節(jié)pH以除去雜質(zhì)，X可選用下列試劑中的（填序號(hào)）cd．
a．NaHCO3     b．NH3•H2O     c．CuO     d．Cu2（OH）2CO3
（4）現(xiàn)用如圖2所示的實(shí)驗(yàn)儀器及藥品來(lái)制備純凈、干燥的氯氣并與粗銅反應(yīng)（鐵架臺(tái)、鐵夾省略）．
①按氣流方向連接各儀器接口順序是：a→d、e→h、i→f、g→b．
②為了防止生成氧化銅，實(shí)驗(yàn)時(shí)在大試管加熱前要進(jìn)行一步重要操作，其操作是先通入氯氣趕走裝置中的空氣，當(dāng)試管中充滿了黃綠色氣體后再加熱．
③實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，飽和食鹽水中出現(xiàn)少許渾濁的現(xiàn)象，請(qǐng)用化學(xué)相關(guān)原理和知識(shí)解釋原因：
Na+（aq）+Cl-（aq）?NaCl（s），飽和食鹽水吸收HCl氣體，使溶液中C（Cl-）增大，平衡向沉淀方向移動(dòng)．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

12．2010年上海世博會(huì)的主題是“城市，讓生活更美好”．下列敘述中不正確的是（　�。�
A．世博會(huì)前期，凈化自來(lái)水時(shí)加入ClO2作為消毒劑
B．世博會(huì)期間，利用可降解的“玉米塑料”替代一次性飯盒，可防止產(chǎn)生白色污染
C．世博停車場(chǎng)安裝催化光解設(shè)施，可將汽車尾氣中的CO和NO反應(yīng)生成無(wú)毒氣體
D．世博會(huì)中國(guó)館一“東方之冠”使用的鋼筋混凝土屬于高分子化合物

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

2．下列有關(guān)化學(xué)反應(yīng)的說(shuō)法正確的是（　�。�
A．在氧化還原反應(yīng)中，陰離子只能發(fā)生氧化反應(yīng)
B．碳酸鈉溶液顯堿性：CO32-+2H2O?H2CO3+2OH-
C．有些吸熱反應(yīng)不需要加熱也能進(jìn)行
D．1mol甲烷燃燒生成氣態(tài)水和二氧化碳所放出的熱量是甲烷的燃燒熱

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

9．下列有關(guān)實(shí)驗(yàn)裝置的說(shuō)法中正確的是（　�。�
A．
用圖裝置制取干燥純凈的NH3
B．
用圖裝置實(shí)驗(yàn)室制備Fe（OH）2
C．
用圖裝置可以完成“噴泉”實(shí)驗(yàn)
D．
用圖裝置測(cè)量Cu與濃硝酸反應(yīng)產(chǎn)生氣體的體積

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

6．某電池以K2FeO4和Zn為電極材料，KOH溶液為電解溶質(zhì)溶液．下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．電子由Zn電極流出，經(jīng)KOH溶液流向正極
B．正極反應(yīng)式為2FeO42-+10H++6e-=Fe2O3+5H2O
C．該電池放電過(guò)程中電解質(zhì)溶液濃度不變
D．電池工作時(shí)OH-向負(fù)極遷移

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

7．化學(xué)反應(yīng)2Na+2CH3CH2OH→2CH3CH2ONa+H2↑的反應(yīng)類型是（　�。�
A．化合反應(yīng)B．分解反應(yīng)C．置換反應(yīng)D．復(fù)分解反應(yīng)

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