【題目】下列過(guò)程只需破壞離子鍵的是
A.晶體硅熔化B.碘升華C.熔融NaClD.HCl(g)溶于水
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】一定溫度下,向一個(gè)容積為2L的真空密閉容器中(事先裝入催化劑)通入1 mol N2和3 mol H2,發(fā)生下列反應(yīng):N2+3H22NH3,3 min后測(cè)得密閉容器內(nèi)的壓強(qiáng)是起始時(shí)的0.9倍,在此時(shí)間內(nèi)v(H2)是( )
A.0.2 mol·L-1·min-1 B.0.6 mol·L-1·min-1
C.0.1 mol·L-1·min-1 D.0.3 mol·L-1·min-1
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】下列說(shuō)法正確的是( )
A.按系統(tǒng)命名法,有機(jī)物 可命名為3,7﹣二甲基﹣4﹣乙基辛烷
B.環(huán)己醇分子中所有的原子可能共平面
C.谷氨酸分子(α﹣氨基戊二酸)縮合只能形成1種二肽(不考慮立體異構(gòu))
D.在一定條件下,1.0 mol的 ,最多能與含3.0 mol NaOH的溶液完全反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】以硅孔雀石[主要成分為 CuCO3Cu(OH)2、CuSiO32H2O,含 SiO2、FeCO3、Fe2O3等雜質(zhì)]為原料制備CuCl2的工藝流程如下:
已知:SOCl2+H2O SO2↑+2HCl↑
(1)“酸浸”時(shí)鹽酸與CuCO3Cu(OH)2反應(yīng)的化學(xué)方程式為 . 為提高“酸浸”時(shí)銅元素的浸出率,可以采取的措施有:①適當(dāng)提高鹽酸濃度;②適當(dāng)提高反應(yīng)溫度;③ .
(2)濾渣2的主要成分為(填化學(xué)式).
(3)“氧化”時(shí)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 .
(4)試劑X的作用是調(diào)節(jié)溶液的PH,試劑X可以是
A.CuSO4 B.Cu2(OH)2CO3 C.NaOH D.CuO
“調(diào)pH”時(shí),PH不能過(guò)高,其原因是 .
(5)“加熱脫水”時(shí),加入SOCl2的目的是 .
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】下列常見(jiàn)物質(zhì)的俗名與化學(xué)式對(duì)應(yīng)正確的是( )
A.燒堿—NaOHB.小蘇打—Na2CO3C.熟石灰—CaCl2D.明礬—Al2(SO4)3
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】已知HCO3﹣+AlO2﹣+H2O═CO32﹣+Al(OH)3↓;將足量的KHCO3溶液不斷滴入含等物質(zhì)的量的KOH、Ba(OH)2、KAlO2的混合溶液中,生成沉淀的物質(zhì)的量與滴入的KHCO3溶液體積的關(guān)系可表示為( )
A.
B.
C.
D.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】用如圖所示裝置除去含有CN﹣、Cl﹣ 廢水中的CN﹣時(shí),控制溶液pH為9~10,陽(yáng)極產(chǎn)生的ClO﹣將CN﹣氧化為兩種無(wú)污染的氣體,下列說(shuō)法不正確的是( )
A.用石墨作陽(yáng)極,鐵作陰極
B.陽(yáng)極的電極反應(yīng)式:Cl﹣+2OH﹣﹣2e﹣═ClO﹣+H2O
C.陰極的電極反應(yīng)式:2H2O+2e﹣═H2↑+2OH﹣
D.除去CN﹣的反應(yīng):2CN﹣+5ClO﹣+2H+═N2↑+2CO2↑+5Cl﹣+H2O
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