物質(zhì)有多種多樣的聚集狀態(tài)，下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是


  1. A.
    組成納米材料的結(jié)構(gòu)粒子是納米量級(jí)的原子團(tuán)
  2. B.
    二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵，故晶體中硅、氧原子個(gè)數(shù)比為1∶4
  3. C.
    NaI與NaCl晶體比較，NaI的離子間距更大，晶格能的絕對(duì)值更小，熔點(diǎn)更低
  4. D.
    等離子體中的微粒帶有電荷且能自由運(yùn)動(dòng)，使等離子體具有很好的導(dǎo)電性
B
在SiO2晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵，而1個(gè)O原子與2個(gè)Si原子形成共價(jià)鍵，故晶體中Si、O原子個(gè)數(shù)比為1∶2，所以B錯(cuò)誤。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

物質(zhì)有多種多樣的聚集狀態(tài)，下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是(    )

A.組成納米材料的結(jié)構(gòu)粒子是納米量級(jí)的原子團(tuán)

B.二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵，故晶體中硅、氧原子個(gè)數(shù)比為1∶4

C.NaI與NaCl晶體比較，NaI的離子間距更大，晶格能的絕對(duì)值更小，熔點(diǎn)更低

D.等離子體中的微粒帶有電荷且能自由運(yùn)動(dòng)，使等離子體具有很好的導(dǎo)電性

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

物質(zhì)有多種多樣的聚集狀態(tài)，下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是(    )

A.組成納米材料的結(jié)構(gòu)粒子是納米量級(jí)的原子團(tuán)

B.二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵，故晶體中硅、氧原子個(gè)數(shù)比為1∶4

C.NaI與NaCl晶體比較，NaI的離子間距更大，晶格能的絕對(duì)值更小，熔點(diǎn)更低

D.等離子體中的微粒帶有電荷且能自由運(yùn)動(dòng)，使等離子體具有很好的導(dǎo)電性

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案