VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

    (1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

    (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;

    (3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;

    (4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;

    (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:

    ①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________;

    第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;

    ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

答案:

解析:(1)因為S8為環(huán)狀立體結(jié)構(gòu),所以為SP3

      (6)第一問我們常碰到,后面一問要注意四個Zn2+在體內(nèi)的四個小立方體的中心,不在同一平面上,過b向上面作垂線,構(gòu)成直角三角形,兩邊分別為√2/4a  1/4a,即可求出斜邊為√3/4a(a 為晶胞邊長)

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年江西省贛州市高三上學(xué)期期末聯(lián)考理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;

(3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;

(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;

(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                    ;第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;

②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

 

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案