VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;
(3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32-離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________;
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;
(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。
科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年江西省贛州市高三上學(xué)期期末聯(lián)考理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;
(3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32-離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因: ;第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;
(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。
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