如果Mg2-、NO3-、Na-和M四種離子以物質(zhì)的量之比為1：2：4：2共同存在同一種溶液中，那么M可能是（　�。�
A、K+
B、Cl-
C、CO32-
D、SO42-
考點(diǎn)：物質(zhì)的量的相關(guān)計(jì)算
專(zhuān)題：
分析：根據(jù)溶液不顯電性，則所有陽(yáng)離子帶的正電荷總數(shù)等于陰離子帶的負(fù)電荷總數(shù)，從而計(jì)算出離子的電荷數(shù)，再利用離子共存來(lái)分析解答．
解答： 解：因溶液不顯電性，陽(yáng)離子帶的正電荷總數(shù)等于陰離子帶的負(fù)電荷總數(shù)，
Mg2+、NO3-、Na+離子的物質(zhì)的量之比為1：2：4，陽(yáng)離子所帶正電荷2×1+1×4＞1×2陰離子所帶負(fù)電荷，因此M離子應(yīng)為陰離子，2molM陰離子帶的負(fù)電荷總數(shù)是4，
M是-2價(jià)的離子．
故選：D．
點(diǎn)評(píng)：本題考查溶液中離子的成分，明確溶液的電中性及離子之間的反應(yīng)即可解答，難度不大，但學(xué)生容易忽略離子共存而錯(cuò)選
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

PH=3和PH=5的鹽酸等體積混合后溶液的PH是（　　）
A、3.3B、3C、5D、4.7

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

A、B、C都是元素周期表中的短周期非金屬元素，它們的核電荷數(shù)依次增大．A原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的2倍，B原子的最外層p軌道的電子為半滿結(jié)構(gòu)，C是地殼中含量最多的元素．D、E是第四周期元素，D原子核外最外層電子數(shù)有1個(gè)電子，其余各層電子均充滿；E原子核外未成對(duì)電子數(shù)在同周期中最多．請(qǐng)用對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)或化學(xué)式填空：
（1）A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?div id="om4ygi2" class='quizPutTag' contenteditable='true'> 
． A和C的氫化物沸點(diǎn)大小關(guān)系為
 
，原因?yàn)?div id="meoqsau" class='quizPutTag' contenteditable='true'> 
．
（2）D與E的原子化熱分別為340kJ?mol-1和400kJ?mol-1，則它們的熔點(diǎn)：D
 
 E（填“＞”、“＜”、“=”）．
（3）分子A2B2中鍵與鍵之間的夾角為180°，并有對(duì)稱(chēng)性，為非極性分子，每個(gè)原子最外層電子數(shù)均滿足八電子，其結(jié)構(gòu)式為
 
，1mol該分子中含有π鍵的數(shù)目為
 
．
（4）基態(tài)E原子的外圍電子排布式為
 
．EO2Cl2熔點(diǎn)：-96.5℃，沸點(diǎn)：117℃，則固態(tài)EO2Cl2屬于
 
晶體．
（5）D的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其化學(xué)式是
 
．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

在反應(yīng) KClO3+6HCl=KCl+3Cl2↑+3H2O中，當(dāng)生成1molCl2時(shí)轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量（　�。�
A、5mol
B、3 mol
C、5/3 mol
D、1 mol

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

2.4克鎂、5.6克鐵、2.7克鋁分別與足量的稀硫酸反應(yīng)，得到氫氣的質(zhì)量比是（　�。�
A、1：1：1
B、1：2：3
C、2：2：3
D、3：2：1

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

用公式表達(dá)n與N、m、V、CB的關(guān)系：n=
 
=
 
=
 
=
 
．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

在標(biāo)準(zhǔn)狀況下1.7g氨氣所占的體積為
 
，它與同條件下
 
mol H2S含有相同的氫原子．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料．鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過(guò)程示意圖如下：

（1）焦炭在過(guò)程Ⅰ中做
 
劑．
（2）過(guò)程Ⅱ中Cl2用電解飽和食鹽水制備，制備Cl2的化學(xué)方程式為
 
．
（3）整過(guò)生產(chǎn)過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水．
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸，反應(yīng)方程式為
 
．
②干燥Cl2時(shí)從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入濃H2SO4中．
（4）Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下：
反應(yīng)①：400℃～756℃，SiCl4（g）+2Zn（l）═Si（S）+2ZnCl2（l）△H1＜0
反應(yīng)②：756℃～907℃，SiCl4（g）+2Zn（l）═Si（S）+2ZnCl2（g）△H2＜0
反應(yīng)③：907℃～1410℃，SiCl4（g）+2Zn（g）═Si（S）+2ZnCl2（g）△H3＜0
i．反應(yīng)②的平衡常數(shù)表達(dá)式為
 
．
ii．對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說(shuō)明合理的是
 
．
a．升高溫度會(huì)提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率     
b．還原過(guò)程需在無(wú)氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)速率          
d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
（5）用硅制作太陽(yáng)能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，可用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層．腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液．硅表面首先形成SiO2，最后轉(zhuǎn)化成H2SiF6．用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過(guò)程
 
．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

有A、B、C、D、E五種主族元素，其中A、B、C屬于同一周期，A原子最外層P能級(jí)的電子數(shù)等于次外層的電子數(shù)；B原子最外層中有兩個(gè)不成對(duì)的電子；D、E原子核內(nèi)各自的質(zhì)子數(shù)與中子數(shù)相等；B元素可分別與A、C、D、E生成RB2型化合物，并知在DB2和EB2中，D與B的質(zhì)量比為7：8，E與B的質(zhì)量比為1：1．試回答：
（1）寫(xiě)出D原子的電子排布式：
 
．
（2）用電子式表示AE2的形成過(guò)程：
 
．
（3）B、C兩元素的第一電離能較大的元素是：
 
（填寫(xiě)元素符號(hào)）．
（4）C的氫化物的立體結(jié)構(gòu)為：
 
．
（5）C的單質(zhì)分子中π鍵的數(shù)目為
 
，B、D兩元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性大小的關(guān)系：
 
＞
 
（填寫(xiě)化學(xué)式）．

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案