工業(yè)上用碳還原SiO2制取單質硅會發(fā)生如下副反應：SiO2+3C＝＝SiC+2CO↑．該反應中氧化劑與還原劑的質量比為


  1. A.
    36∶60
  2. B.
    60∶36
  3. C.
    1∶2
  4. D.
    1∶3
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

硅單質及其化合物應用范圍很廣．
（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅．
Ⅰ．高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；
Ⅱ．粗硅與干燥的氯氣在450～500℃條件下反應制得SiCl4；
Ⅲ．SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1 100～1 200℃條件下反應制得高純硅．
已知SiCl4沸點為57.6℃，能與H2O強烈反應．1mol H2與SiCl4氣體完全反應吸收的熱量為120.2kJ．
請回答下列問題：
①第Ⅲ步反應的熱化學方程式為
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
．
②整個制備純硅的過程中必須嚴格控制在無水無氧的條件下．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧，其生成物是
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是
爆炸
爆炸
．
（2）二氧化硅被大量用于生產玻璃．工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應時放出CO2 44kg，生產出的玻璃可用化學式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示，則其中x=
4
4
．

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

硅單質及其化合物應用范圍很廣。

（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應制得SiCl4

Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1100 ℃～1200 ℃ 反應制得純硅

已知SiCl4沸點為57.6 ℃，能與H2O強烈反應。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應吸收的熱量為120.2 kJ。請回答下列問題：

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學反應方程式為                                       ，第Ⅲ步反應的熱化學方程式是                                                   。

②整個制備純硅過程必須嚴格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧，其生成物是           ；H2還原SiCl4過程中若混O2，可能引起的后果是        。

（2）二氧化硅大量用于生產玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應時放出CO2 44 kg，生產出的玻璃可用化學式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示，則其中x＝          。

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

（1）工業(yè)上用碳在高溫下與二氧化硅反應制取粗硅。反應的化學方程式為：  

SiO2+2CSi+2CO↑，在該反應中氧化劑是_____________________________，被氧化

的物質與被還原的物質的物質的量之比是____________________________。

（2）請寫出銅和稀硝酸反應的化學方程式：                                     ，若制得標準狀況下的氣體 4.48L，則參加反應的硝酸的物質的量為________ mol，轉移電子的物質的量為________   mol．

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：2011屆福建省廈門外國語學校高三11月月考化學試卷 題型：填空題

硅單質及其化合物應用范圍很廣。
（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應制得SiCl4
Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1100 ℃～1200 ℃ 反應制得純硅
已知SiCl4沸點為57.6 ℃，能與H2O強烈反應。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應吸收的熱量為120.2 kJ。請回答下列問題：
① 第Ⅰ步制備粗硅的化學反應方程式為                                       ，第Ⅲ步反應的熱化學方程式是                                                   。
②整個制備純硅過程必須嚴格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧，其生成物是          ；H2還原SiCl4過程中若混O2，可能引起的后果是        。
（2）二氧化硅大量用于生產玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應時放出CO2 44 kg，生產出的玻璃可用化學式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示，則其中x＝         。

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：2010-2011學年福建省高三11月月考化學試卷 題型：填空題

硅單質及其化合物應用范圍很廣。

（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應制得SiCl4

Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1100 ℃～1200 ℃ 反應制得純硅

已知SiCl4沸點為57.6 ℃，能與H2O強烈反應。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應吸收的熱量為120.2 kJ。請回答下列問題：

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學反應方程式為                                        ，第Ⅲ步反應的熱化學方程式是                                                   。

②整個制備純硅過程必須嚴格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧，其生成物是           ；H2還原SiCl4過程中若混O2，可能引起的后果是         。

（2）二氧化硅大量用于生產玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應時放出CO2 44 kg，生產出的玻璃可用化學式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示，則其中x＝          。

 

查看答案和解析>>

同步練習冊答案