【題目】下列有關化學反應速率的說法中,正確的是
A. 往容積一定的容器中再通入O2,可以加快反應2SO2+O22SO3的反應速率
B. 用鐵片和稀硫酸反應制取氫氣時,改用鐵片和濃硫酸可以加快產生氫氣的速率
C. 對于C(s)+H2O(g)CO(g)+H2(g)的反應,加入固體炭,反應速率加快
D. 100 mL 2 mol·L-1的鹽酸與鋅反應時,加入適量的氯化鈉溶液,生成氫氣的速率不變
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【題目】根據化學反應的實質是舊鍵斷裂、新鍵形成的觀點,下列變化沒有發(fā)生化學鍵斷裂的是
A.電解水B.干冰受熱直接變成氣體
C.HCl溶解于水D.打雷放電時,O2變成O3
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】現有常溫下的四份溶液:①0.01 mol/L CH3COOH溶液;②0.01 mol/L HCl溶液;③pH=12的氨水;④pH=12的NaOH溶液。下列說法正確的是
A.①中水的電離程度最小,③中水的電離程度最大
B.將①④混合,若c(CH3COO-)>c(H+),則混合液一定呈堿性
C.將四份溶液分別稀釋到原體積相同倍數后,溶液的pH:③>④,②>①
D.將②③混合,若pH=7,則消耗溶液的體積:②>③
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,其原子半徑隨原子數變化如圖所示已知W的一種核素的質量數為18,中子數為10,X和Ne原子的核外電子數相差1,Y的單質是一種常見的半導體材料,Z的非金屬性在同周期元素中最強下列說法正確的是( )
A. 對應簡單離子半徑:
B. 對應氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性
C. 化合物XZW既含離子鍵,又含共價鍵
D. Y的氧化物與Z和X的最高價氧化物對應的水化物均能反應
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【題目】有A、B、C、D四種強電解質,它們在水中電離產生下列離子(每種物質只含一種陰離子且互不重復)。
陽離子 | Na+、Ba2+、NH |
陰離子 | CH3COO-、OH-、Cl-、SO |
已知:①A、C溶液的pH均大于7,A、B的溶液中水的電離程度相同;②C溶液和D溶液相遇時只生成白色沉淀,B溶液和C溶液相遇時只生成刺激性氣味的氣體,A溶液和D溶液混合時無現象。
(1)A是__________,B是____________(填化學式) 。
(2)寫出C和D反應的離子方程式________________。
(3)25 ℃時,0.1 mol·L-1 B溶液的pH=a,則B溶液中c(H+)-c(NH3·H2O)=____________________(用含有a的關系式表示)。
(4)將等體積、等物質的量濃度的B溶液和C溶液混合,反應后溶液中各種離子濃度由大到小的順序是________________。
(5)在一定體積的0.005 mol·L-1的C溶液中,加入一定體積的0.00125 mol·L-1的鹽酸,混合溶液的pH=11,若反應后溶液的體積等于C溶液與鹽酸的體積之和,則C溶液與鹽酸的體積比是______。
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【題目】硅是重要的半導體材料,構成了現代電子工業(yè)的基礎.請回答下列問題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據的最高能層符號為 , 該能層具有的原子軌道數為、電子數為 .
(2)硅主要以硅酸鹽、等化合物的形式存在于地殼中.
(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻個原子.
(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備.工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4 , 該反應的化學方程式為 .
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
化學鍵 | C﹣C | C﹣H | C﹣O | Si﹣Si | Si﹣H | Si﹣O |
鍵能/(kJmol﹣1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數量上都遠不如烷烴多,原因是 .
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4 , 更易生成氧化物,原因是 .
(6)在硅酸鹽中,SiO4﹣4四面體(如圖1)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式.圖(2)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 , Si與O的原子數之比為 , 化學式為 .
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