【題目】常溫下,向1L0.1molL1NH4Cl溶液中,不斷加入固體NaOH后,NH4+與NH3H2O的變化趨勢如圖所示(不考慮體積變化和氨的揮發(fā)),下列說法正確的是(

A.M點溶液中水的電離程度比原溶液大
B.在M點時,n(OH)﹣n(H+)=(a﹣0.05)mol
C.隨著NaOH的加入, 不斷增大
D.當n(NaOH)=0.05mol時溶液中有:c(Cl)>c(Na+)>c(NH4+)>c(OH)>c(H+

【答案】B
【解析】解:A.M點是向1L 0.1molL1NH4Cl溶液中,不斷加入NaOH固體后反應得到氯化銨和一水合氨溶液,銨根離子濃度和一水合氨濃度相同,一水合氨是一元弱堿抑制水電離,此時水的電離程度小于原氯化銨溶液中水的電離程度,故A錯誤;
B.在M點時溶液中存在電荷守恒,n(0H)+n(Cl)=n(H+)+n(Na+)+n(NH4+),n(0H)﹣n(H+)=0.05+n(Na+)﹣n(Cl)=(a﹣0.05)mol,故B正確;
C.銨根離子水解顯酸性,結(jié)合水解平衡常數(shù)分析 × = ,隨氫氧化鈉固體加入,反應生成一水合氨濃度增大,平衡常數(shù)不變,則 減小,故C錯誤;
D.向1L 0.1molL1NH4Cl溶液中,不斷加入NaOH固體后,當n(NaOH)=0.05mol時,得到物質(zhì)的量均為0.05molNH4Cl、0.05molNaCl和0.05molNH3H2O的混合物,由于NH3H2O電離大于NH4Cl水解,故離子濃度大小關系為:c(Cl)>c(NH4+)>c(Na+)>c(OH)>c(H+),故D錯誤.
故選B.
A.M點是向1L 0.1molL1NH4Cl溶液中,不斷加入NaOH固體后反應得到氯化銨和一水合氨溶液,銨根離子濃度和一水合氨濃度相同,一水合氨是一元弱堿抑制水電離;
B.依據(jù)溶液中電荷守恒分析判斷,n(Na+)=amol,n(Cl)=1mol; C.銨根離子水解顯酸性,結(jié)合水解平衡常數(shù)分析, × = ; D.向1L 0.1molL1NH4Cl溶液中,不斷加入NaOH固體后,當n(NaOH)=0.05mol時,得到物質(zhì)的量均為0.05molNH4Cl、0.05molNaCl和0.05molNH3H2O的混合物.

練習冊系列答案
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A.圖中P點:v(正)<v(逆)
B.正反應為放熱反應
C.950℃時,0~1.25s生成H2的平均反應速率為:0.008molL1s1
D.950℃時,該反應的平衡常數(shù)的值小于3.125×104

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【題目】下列說法正確的是( )
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B.自發(fā)反應一定是熵增大,非自發(fā)反應一定是熵減少或不變
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【題目】硅是帶來人類文明的重要元素之一,從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個又一個奇跡.
(1)新型陶瓷Si3N4的熔點高、硬度大、化學性質(zhì)穩(wěn)定.工業(yè)上可以采用化學氣相沉積法,在H2的保護下,使SiCl4與N2反應生成Si3N4沉積在石墨表面,寫出該反應的化學方程式
(2)一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如圖:
①凈化N2和H2時,銅屑的作用是;硅膠的作用是
②在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=﹣727.5kJ/mol,開始時為什么要嚴格控制氮氣的流速以控制溫度;體系中要通入適量的氫氣是為了;
③X可能是(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(3)工業(yè)上可以通過如圖2所示的流程制取純硅:
①個制備過程必須嚴格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應,寫出該反應的化學方程式
②假設每一輪次制備1mol純硅,且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失,反應Ⅰ中HCl的利 用率為90%,反應Ⅱ中H2的利用率為93.75%.則在第二輪次的生產(chǎn)中,補充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是

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【題目】把aL一個大氣壓,120℃的氫氣氧氣混合于密閉容器中,電火花引爆后恢復至原狀態(tài),測得體積為bL,則下列表述不可能正確的是(
A.2a=3b
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