（2009?黃州區(qū)模擬）2008年北京奧運(yùn)會(huì)場(chǎng)館設(shè)施采用很多太陽(yáng)能技術(shù)．太陽(yáng)的能量來(lái)源于氫核的聚變，每次聚變反應(yīng)可以看作是4個(gè)氫核結(jié)合成l個(gè)氦核，同時(shí)放出正電子．已知?dú)浜说馁|(zhì)量為mp，氦核的質(zhì)量為mα，正電子的質(zhì)量為me，真空中光速為c，下列關(guān)于氫核聚變的說(shuō)法正確的是（　�。�
分析：書寫核反應(yīng)方程注意質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù)守恒，由反應(yīng)前后質(zhì)量虧損，根據(jù)質(zhì)能方程可求出釋放的能量．
解答：解：AB、根據(jù)氫核的聚變過(guò)程中質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù)守恒可知其反應(yīng)方程為：4
 
1
1
H→
 
4
2
He+2
 
0
1
e，故A正確，B錯(cuò)誤；
CD、反應(yīng)過(guò)程中的質(zhì)量虧損為：△m=4mp-mα-2me
根據(jù)質(zhì)能方程可得：△E=（4mp-mα-2me）C2，故C錯(cuò)誤，D正確．
故選AD．
點(diǎn)評(píng)：該題考查了質(zhì)能方程與核反應(yīng)方程的書寫，是考查基礎(chǔ)知識(shí)的好題．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2009?黃州區(qū)模擬）光滑絕緣細(xì)桿與水平面成θ角固定，桿上套有一帶正電小球，質(zhì)量為m，帶電量為q．為使小球靜止在桿上，可加一勻強(qiáng)電場(chǎng)．所加電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)滿足什么條件時(shí)，小球可在桿上保持靜止（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2009?黃州區(qū)模擬）如圖所示，光滑水平面上，質(zhì)量為m的小球A和質(zhì)量為
1
3
m的小球B通過(guò)輕質(zhì)彈簧相連并處于靜止?fàn)顟B(tài)，彈簧處于自由伸長(zhǎng)狀態(tài)；質(zhì)量為m的小球C以初速度v0沿AB連線向右勻速運(yùn)動(dòng)，并與小球A發(fā)生彈性正碰．在小球B的右側(cè)某位置固定一塊彈性擋板（圖中未畫出），當(dāng)小球B與擋板發(fā)生正碰后立刻將擋板撤走，不計(jì)所有碰撞過(guò)程中的機(jī)械能損失，彈簧始終處于彈性限度以內(nèi)，小球B與固定擋板的碰撞時(shí)間極短，碰后小球B的速度大小不變，但方向相反，則B與擋板碰后彈簧彈性勢(shì)能的最大值Em可能是（　　）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2009?黃州區(qū)模擬）用如圖電路可研究光電效應(yīng)規(guī)律．圖中標(biāo)有A和K的為光電管，其中A為陰極，受光照射時(shí)可產(chǎn)生光電效應(yīng)現(xiàn)象，K為陽(yáng)極．理想電流計(jì)可檢測(cè)通過(guò)光電管的電流，理想電壓表．用來(lái)指示光電管兩端電壓．現(xiàn)接通電源，用光子能量為10.5eV的光照射陰極A，電流計(jì)中有讀數(shù)，若將滑線變阻器的滑片P緩慢向右滑動(dòng)，電流計(jì)的讀數(shù)逐漸減小，當(dāng)滑至某一位置時(shí)電流計(jì)的讀數(shù)恰好為0，讀出此時(shí)電壓表的示數(shù)為6.0V；現(xiàn)保持滑片P的位置不變，改用光子能量為12eV的光照射陰極A，以下判斷正確的是（　　）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2009?黃州區(qū)模擬）如圖所示，有一與豎直方向夾角為45°的直線邊界，其左下方有一正交的勻強(qiáng)電磁場(chǎng)．磁場(chǎng)方向垂直于紙面向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B；電場(chǎng)方向豎直向上，場(chǎng)強(qiáng)大小為E=mg/q．一質(zhì)量為m，電荷量為+q的小球從邊界上N點(diǎn)正上方高為h處的M點(diǎn)靜止釋放，下落到N點(diǎn)時(shí)小球瞬間爆炸成質(zhì)量、電荷量均相等的A、B兩塊．已知爆炸后A向上運(yùn)動(dòng)，能達(dá)到的最大高度為4h；B向下運(yùn)動(dòng)進(jìn)入電磁場(chǎng)區(qū)域．此后A也將進(jìn)入電磁場(chǎng)區(qū)域，求：
（1）B剛進(jìn)入電磁場(chǎng)區(qū)域的速度vB1；
（2）B第二次進(jìn)入電磁場(chǎng)區(qū)域的速度vB2；
（3）設(shè)B、A第二次進(jìn)入電磁場(chǎng)時(shí)，與邊界OO'交點(diǎn)分別為P、Q，求PQ之間的距離．

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