如圖甲所示,bacd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止,則0~t2時(shí)間內(nèi),PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時(shí)間變化的圖像可能正確的是(取平行斜面向上為正方向)

 

【答案】

BCD

【解析】0~t1時(shí)間內(nèi)穿過(guò)閉合線圈的磁通量減小,安培力的效果總是阻礙磁通量的變化,所以安培力方向沿斜面向上,由于磁感強(qiáng)度均勻變化,由法拉第電磁感應(yīng)定律可知產(chǎn)生的感應(yīng)電流恒定不變,由安培力公式BIL可知安培力逐漸減小,同理可判斷t1~t2時(shí)間內(nèi)的安培力變化情況,B對(duì);靜摩擦力大小等于安培力與重力沿斜面向下的分力的合力,由于不知安培力與重力大小關(guān)系,所以靜摩擦力方向無(wú)法判斷,但安培力均勻變化所以靜摩擦力也均勻變化,CD正確

 

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖甲所示,bacd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止.試畫(huà)出0~t2時(shí)間內(nèi)PQ受到的安培力F隨時(shí)間變化的圖象(取沿斜面向上為正方向).
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如圖甲所示,bacd為用導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成角,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個(gè)裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示,PQ始終靜止,則在0~t2 s內(nèi)(t=0時(shí)刻,安培力大于mgsin),對(duì)PQ受到的摩擦力F的分析正確的是

A.F先減小后增大,且在t1時(shí)刻為零

B.F先減小后增大,且在t1時(shí)刻F=mgsin

C.F先增大后減小,且在時(shí)刻為最大值

D.F先增大后減小,且在t1時(shí)刻F=mgsin

 

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科目:高中物理 來(lái)源:2013年高考物理復(fù)習(xí)卷C(九)(解析版) 題型:解答題

如圖甲所示,bacd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的電阻為R,整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止.試畫(huà)出0~t2時(shí)間內(nèi)PQ受到的安培力F隨時(shí)間變化的圖象(取沿斜面向上為正方向).

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如圖甲所示,bacd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQabcd接觸良好,回路的電阻為R,整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化情況如圖乙所示,PQ能夠始終保持靜止,則0~t2時(shí)間內(nèi),PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時(shí)間變化的圖像一定錯(cuò)誤的是(取平行斜面向上為正方向)
[     ]
A、
B、
C、
D、

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