如圖所示，一個正方形導(dǎo)線框abcd，邊長為L，質(zhì)量為m。將線框從距水平勻強磁場上方h處由靜止釋放，在線框下落過程中，不計空氣阻力，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界平行。當(dāng)ab邊剛進入磁場時，線框速度為v。在線框進入磁場的整個過程中，下列說法正確的是

    A．線框可能做加速度減小的加速運動

    B．線框可能做加速度減小的減速運動

    C．安培力對線框的沖量大小一定為

    D．線框克服安培力做功一定為

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，一個正方形導(dǎo)線框abcd，邊長為L，質(zhì)量為m．將線框從距水平勻強磁場上方h處由靜止釋放，在線框下落過程中，不計空氣阻力，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界平行．當(dāng)ab邊剛進入磁場時，線框速度為v．在線框進入磁場的整個過程中，下列說法正確的是（　　）
A、線框可能做加速度減小的加速運動
B、線框可能做加速度減小的減速運動
C、安培力對線框的沖量大小一定為mv
D、線框克服安培力做功一定為mg(h+L)-
1
2
mv2

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一個正方形閉合導(dǎo)線框abcd，邊長為0.lm，各邊電阻為1Ω, bc邊位于x軸上，在x軸原點O右方有寬為0. 2 m，磁感應(yīng)強度為1 T，方向垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)，當(dāng)線框以恒定速度4 m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)過程中，下圖所示中哪一圖線可正確表示線框從進入到穿出磁場的過程中，ab邊兩端電勢差隨位置變化的情況（  ）

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科目：高中物理 來源：2013屆甘肅省河西五市部分普通高中高三第一次聯(lián)合考試物理試卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示，一個正方形單匝線圈abcd，邊長為L，線圈每邊的電阻均為R，以恒定速度v通過一個寬度為2L的勻強磁場區(qū)，磁感應(yīng)強度為B，方向垂直紙面向里。下列ABCD圖中能正確反映ab兩端電壓Uab隨時間t變化關(guān)系的是(　　)

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年甘肅省河西五市高三第一次合考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，一個正方形單匝線圈abcd，邊長為L，線圈每邊的電阻均為R，以恒定速度v通過一個寬度為2L的勻強磁場區(qū)，磁感應(yīng)強度為B，方向垂直紙面向里。下列ABCD圖中能正確反映ab兩端電壓Uab隨時間t變化關(guān)系的是(　　)

 

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