A. | 物體在某時(shí)刻的速度為3 m/s,則物體在1 s內(nèi)一定走3 m | |
B. | 物體在某1 s內(nèi)的平均速度是3 m/s,則物體在這1 s內(nèi)的位移一定是3 m | |
C. | 物體在某段時(shí)間內(nèi)的平均速度是3 m/s,則物體在其中某1 s內(nèi)的位移一定是3 m | |
D. | 若物體做勻變速直線運(yùn)動(dòng)時(shí),在發(fā)生某段位移過程中的平均速度是3 m/s,則物體在這段位移的一半時(shí)的速度一定是大于3 m/s |
分析 知道平均速度,根據(jù)x=$\overline{v}t$可以求出這段時(shí)間內(nèi)的位移.但前提是平均速度是所求時(shí)間內(nèi)的平均速度.
解答 解:A、物體在某時(shí)刻的速度是3m/s,則在1s內(nèi)的平均速度不一定是3m/s,所以1s內(nèi)的位移不一定是3m.故A錯(cuò)誤.
B、物體在某1s內(nèi)的平均速度是3m/s,根據(jù)x=$\overline{v}t$知物體在這1s內(nèi)的位移一定是3m.故B正確.
C、3m/s不一定是1s內(nèi)的平均速度,所以物體在1s內(nèi)的位移不一定是3m.故C錯(cuò)誤.
D、若物體做勻變速直線運(yùn)動(dòng)時(shí),在發(fā)生某段位移過程中的平均速度是$\frac{{v}_{1}+{v}_{2}}{2}$,則物體在這段位移的一半時(shí)的速度一定是$\sqrt{\frac{{v}_{1}^{2}+{v}_{2}^{2}}{2}}$,結(jié)合二項(xiàng)式定理可知,$\frac{{v}_{1}+{v}_{2}}{2}<\sqrt{\frac{{v}_{1}^{2}+{v}_{2}^{2}}{2}}$.故D正確.
故選B:BD
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵掌握平均速度的定義式$\overline{v}=\frac{△x}{△t}$,以及勻加速直線運(yùn)動(dòng)的中間位置對(duì)應(yīng)的瞬時(shí)速度的表達(dá)式.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 公式E=$\frac{F}{q}$是電場(chǎng)強(qiáng)度的比值定義式,適用于一切電場(chǎng) | |
B. | 電場(chǎng)強(qiáng)度定義式E=$\frac{F}{q}$為我們提供了一種計(jì)算靜電力的方法,即F=Eq | |
C. | 根據(jù)E=k$\frac{Q}{{r}^{2}}$,點(diǎn)電荷電場(chǎng)強(qiáng)度與場(chǎng)源電荷Q成正比,與距離r的平方成反比 | |
D. | 等量異種電荷的連線上,中點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)可改變液晶的光學(xué)性質(zhì) | |
B. | 黃金可以切割加工成任意形狀,所以是非晶體 | |
C. | 單晶體的物理性質(zhì)是各向異性的,多晶體和非晶體是各向同性的 | |
D. | 晶體有固定的熔點(diǎn),非晶體沒有固定的熔點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 路程為65m | B. | 位移大小為25m | ||
C. | 速度變化量大小為10m/s | D. | 平均速度大小為5m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該物體的重力勢(shì)能減少,減少量等于2J | |
B. | 該物體的機(jī)械能增加,增加量等于2J | |
C. | 該物體的重力勢(shì)能減少,減少量小于2J | |
D. | 該物體的動(dòng)能增加,增加量等于2J |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 線框中的電流強(qiáng)度隨時(shí)間按正弦規(guī)律變化 | |
B. | 線框轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為$\frac{Em}{Φm}$ | |
C. | 當(dāng)穿過線框的磁通量為$\frac{{Φ}_{m}}{\sqrt{2}}$的時(shí)刻,線框中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為$\frac{{E}_{m}}{\sqrt{2}}$ | |
D. | 當(dāng)穿過線框的磁通量為$\frac{Φm}{2}$的時(shí)刻,線框中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為$\frac{Em}{2}$ |
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