在光滑的水平面上方，有兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向相反的水平勻強(qiáng)磁場，如圖。PQ為兩個(gè)磁場的邊界，磁場范圍足夠大。一個(gè)邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的金屬正方形線框，以速度v垂直磁場方向從如圖實(shí)線位置開始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)線框運(yùn)動(dòng)到分別有一半面積在兩個(gè)磁場中時(shí)，線框的速度為v/2，則下列說法正確的是

A．此過程中通過線框截面的電量為．

B．此時(shí)線框的加速度為

C．此過程中回路產(chǎn)生的電能為　

D．此時(shí)線框中的電功率為

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)在光滑的水平面上方，有兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向相反的水平勻強(qiáng)磁場，如圖．PQ為兩個(gè)磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個(gè)邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的金屬正方形線框，以速度v垂直磁場方向從如圖實(shí)線位置開始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)線框運(yùn)動(dòng)到分別有一半面積在兩個(gè)磁場中時(shí)，線框的速度為
v
2
，則下列說法正確的是（　　）

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)在光滑的水平面上方，有兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向相反的水平勻強(qiáng)磁場，如圖．PQ為兩個(gè)磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個(gè)邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的金屬正方形線框，以速度v垂直磁場方向從如圖實(shí)線（I）位置開始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)線框運(yùn)動(dòng)到分別有一半面積在兩個(gè)磁場中的如圖（II）位置時(shí)，線框的速度為
v
2
，則下列說法正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源：2014屆山東省臨沂市某區(qū)高二下學(xué)期期末質(zhì)量調(diào)研物理卷（解析版） 題型：選擇題

在光滑的水平面上方，有兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向相反的水平勻強(qiáng)磁場，如圖所示，PQ為兩個(gè)磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個(gè)邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的金屬正方形線框，以速度v垂直磁場方向從如圖實(shí)線（I）位置開始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)線框運(yùn)動(dòng)到分別有一半面積在兩個(gè)磁場中的如圖（II）位置時(shí)，線框的速度為v/2，則下列說法正確的是

A．圖（II）時(shí)線框中的電功率為

B．此過程中回路產(chǎn)生的電能為

C．圖（II）時(shí)線框的加速度為

D．此過程中通過線框截面的電量為

 

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年云南省部分名校高三下學(xué)期第二次統(tǒng)考理綜物理試卷（解析版） 題型：選擇題

在光滑的水平面上方，有兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向相反的水平勻強(qiáng)磁場，如圖．PQ為兩個(gè)磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個(gè)邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的金屬正方形線框，以速度2v垂直磁場方向從如圖實(shí)線（I）位置開始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)線框運(yùn)動(dòng)到分別有一半面積在兩個(gè)磁場中的如圖（II）位置時(shí)，線框的速度為v，則下列說法正確的是

A．圖（II）時(shí)線框中的電功率為

B．此過程中回路產(chǎn)生的電能為

C．圖（II）時(shí)線框的加速度為

D．此過程中通過線框截面的電量為

 

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科目：高中物理 來源：2013年上海市崇明縣高考物理一模試卷（解析版） 題型：選擇題

在光滑的水平面上方，有兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向相反的水平勻強(qiáng)磁場，如圖．PQ為兩個(gè)磁場的邊界，磁場范圍足夠大．一個(gè)邊長為a、質(zhì)量為m、電阻為R的金屬正方形線框，以速度v垂直磁場方向從如圖實(shí)線（I）位置開始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)線框運(yùn)動(dòng)到分別有一半面積在兩個(gè)磁場中的如圖（II）位置時(shí)，線框的速度為，則下列說法正確的是（ ）

A．圖（II）時(shí)線框中的電功率為
B．此過程中回路產(chǎn)生的電能為
C．圖（II）時(shí)線框的加速度為
D．此過程中通過線框截面的電量為

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