【題目】按圖甲裝置進行實驗,若圖乙中橫坐標x表示通過電極的電子的物質(zhì)的量。下列敘述正確的是( 。
A.F表示反應(yīng)生成Cu的物質(zhì)的量
B.E表示反應(yīng)實際消耗H2O的物質(zhì)的量
C.E表示反應(yīng)生成O2的物質(zhì)的量
D.F表示反應(yīng)生成H2SO4的物質(zhì)的量
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【題目】下列與金屬腐蝕有關(guān)的說法正確的是( )
A. 圖a中,插入海水中的鐵棒,越靠近底端腐蝕越嚴重
B. 圖b中,開關(guān)由M改置于N時,Cu-Zn合金的腐蝕速率減小
C. 圖c中,接通開關(guān)時Zn腐蝕速率增大,Zn上放出氣體的速率也增大
D. 圖d中,鋼鐵輪船外殼連接一塊金屬A(銅塊)可以減緩船體外殼腐蝕速度
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【題目】用CO合成甲醇(CH3OH)的化學(xué)方程式為CO(g)+2H2(g)CH3OH(g) △H<0,按照相同的物質(zhì)的量投料,測得CO在不同溫度下的平衡轉(zhuǎn)化率與壓強的關(guān)系如圖所示。下列說法正確的是( )
A.溫度:T1>T2>T3
B.正反應(yīng)速率:v(b)>v(d) v(a)>v(c)
C.平衡常數(shù):K(a)>K(c) K(b)=K(d)
D.平均摩爾質(zhì)量:M(b)>M(d) M(a)<M(c)
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【題目】如圖中分別是某課外活動小組設(shè)計的制取氨氣并用氨氣進行噴泉實驗的兩組裝置,回答下列問題:
(1)用A圖所示的裝置可制備干燥的NH3,反應(yīng)的化學(xué)方程式為:___。干燥管中干燥劑能否改用無水CaCl2?__。(填“能”或“不能”)檢驗NH3是否收集滿的實驗方法是:__。氨氣溶于水呈堿性的原因是:___。
(2)若要配制100mL9.0mol/L的氨水,用到的玻璃儀器有燒杯、玻璃棒、量筒、___、__。
(3)將等濃度、等體積的氨水和鹽酸混合,所得溶液中離子濃度從大到小的順序為___。
(4)用B圖所示的裝置可進行噴泉實驗,上部燒瓶已充滿干燥氨氣,引發(fā)水上噴的操作是__,該實驗的原理是:___。
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【題目】(1)證明溴乙烷中溴元素的存在,有下列幾步,其正確的操作順序是___。
①加入硝酸銀溶液 ②加入氫氧化鈉溶液 ③加熱 ④加入稀硝酸至溶液呈酸性
(2)有機物M結(jié)構(gòu)如圖,。根據(jù)M的結(jié)構(gòu)回答:最多有__個原子共平面。
(3)某烴A和炔烴B的混合物共1L,完全燃燒生成相同狀況下的二氧化碳1.4L,水蒸氣1.6L,寫出兩種烴的結(jié)構(gòu)簡式A__,B___。
(4)實驗室制取硝基苯的化學(xué)反應(yīng)方程式是___。
(5)溴乙烷水解得到乙醇,乙醇可以發(fā)生催化氧化成醛,寫出乙醇催化氧化的方程式:___。
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【題目】第三代太陽能電池就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)晶體硅中Si原子的雜化方式是___,基態(tài)Ga原子核外電子排布式為___。
(2)向硫酸銅溶液中逐滴滴加濃氨水,先出現(xiàn)藍色絮狀沉淀,后沉淀逐漸溶解得到[Cu(NH3)4]SO4的深藍色透明溶液。
①NH3極易溶于水,除因為NH3與H2O都是極性分子外,還因為____。
②在[Cu(NH3)4]2+中Cu2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為___,提供孤電子對的成鍵原子是___。
③[Cu(NH3)4]2+具有對稱的空間構(gòu)型,[Cu(NH3)4]2+中的兩個NH3被兩個C1-取代,能得到兩種不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物,則[Cu(NH3)4]2+的空間構(gòu)型為___。
(3)某含銅化合物的晶胞如圖所示,晶胞上下底面為正方形,側(cè)面與底面垂直。則晶胞中每個Cu原子與____個S原子相連,含銅化合物的化學(xué)式為____。設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶胞的密度為___gcm3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
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【題目】下圖所示原電池的鹽橋中裝有飽和K2SO4溶液,電池工作一段時間后,甲燒杯中溶液顏色不斷變淺。下列敘述中正確的是
A. b極是電池的正極
B. 甲燒杯中K+經(jīng)鹽橋流向乙燒杯
C. 甲燒杯中溶液的pH逐漸減小
D. 電池的總反應(yīng)離子方程式為:MnO4-+5Fe2++8H+=Mn2++5Fe3++4H2O
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【題目】一定溫度下,在三個容積相同的恒容密閉容器中按不同方式投入反應(yīng)物,發(fā)生反應(yīng)2SO2(g)+O2(g)2SO3(g);ΔH =-196.6kJ/mol,測得反應(yīng)的相關(guān)數(shù)據(jù)如下:
容器1 | 容器2 | 容器3 | |
反應(yīng)溫度 T/K | 700 | 700 | 800 |
反應(yīng)物投入量 | 2molSO2、1mol O2 | 4molSO3 | 2molSO2、1mol O2 |
平衡v正(SO2)/ mol·L-1 ·s-1 | v1 | v2 | v3 |
平衡c(SO3)/ mol·L-1 | c1 | c2 | c3 |
物質(zhì)的平衡轉(zhuǎn)化率α | α1(SO2) | α2(SO3) | α3(O2) |
平衡常數(shù)K | K1 | K2 | K3 |
下列說法正確的是 ( )
A.v1<v2,c2<2c1B.K1>K3 ,p2>2p3
C.v1<v
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【題目】快離子導(dǎo)體是一類具有優(yōu)良離子導(dǎo)電能力的固體電解質(zhì)。圖1(Li3SBF4)和圖2是潛在的快離子導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)示意圖。回答下列問題:
(1)S+2e-=S2-過程中,獲得的電子填入基態(tài)S原子的___(填軌道符號);
(2)BF3+NH3=NH3BF3的反應(yīng)過程中,形成化學(xué)鍵時提供電子的原子軌道符號是___;產(chǎn)物分子中采取sp3雜化軌道形成化學(xué)鍵的原子是___;
(3)基態(tài)Li+、B+分別失去一個電子時,需吸收更多能量的是___,理由是___;
(4)圖1所示的晶體中,鋰原子處于立方體的位置___;若其晶胞參數(shù)為apm,則晶胞密度為___g·cm-3(列出計算式即可)
(5)當圖2中方格內(nèi)填入Na+時,恰好構(gòu)成氯化鈉晶胞的,且氯化鈉晶胞參數(shù)a=564pm。氯化鈉晶體中,Cl-按照A1密堆方式形成空隙,Na+填充在上述空隙中。每一個空隙由___個Cl-構(gòu)成,空隙的空間形狀為___;
(6)溫度升高時,NaCl晶體出現(xiàn)缺陷(如圖2所示,某一個頂點沒有Na+,出現(xiàn)空位),晶體的導(dǎo)電性大大增強。該晶體導(dǎo)電時,在電場作用下遷移到空位上,形成電流。遷移的途徑有兩條(如圖2中箭頭所示):
途徑1:在平面內(nèi)擠過2、3號氯離子之間的狹縫(距離為x)遷移到空位。
途徑2:擠過由1、2、3號氯離子形成的三角形通道(如圖3,小圓的半徑為y)遷移到空位。已知:r(Na+)=95pm,r(Cl-)=185pm,=1.4,。
①x=___,y=___;(保留一位小數(shù))
②遷移可能性更大的途徑是___。
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