Question

A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素．A元素的原子最外層電子排布為ns¹，B元素的原子價電子排布為ns²np²，C元素原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，D元素原子的M電子層的p能級中有3個電子．
（1）C原子的基態(tài)電子排布式為

 

；若A元素的原子最外層電子排布為1s¹，則按原子軌道的重疊方式分類，A與C形成的最簡單化合物中的共價鍵屬于

 

鍵．
（2）當(dāng)n=2時，元素A在周期表中的位置是

 

，B與C形成的化合物的VSEPR模型名稱為

 

形．
（3）當(dāng)n=3時，B與C形成的晶體類型是

 

，此時A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是

 

（用元素符號表示）．

Answer 1

考點：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素．A元素的原子最外層電子排布為ns¹，A位于ⅠA族；B元素的原子價電子排布為ns²np²，B位于ⅣA族；C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，則C元素原子有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，故C為氧元素；D元素原子的M電子層的P能級中有3個電子，則D元素原子電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p³，故D為P元素，據(jù)此解答各小題即可．

解答： 解：A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素．A元素的原子最外層電子排布為ns¹，A位于ⅠA族；B元素的原子價電子排布為ns²np²，B位于ⅣA族；C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，則C元素原子有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，故C為氧元素；D元素原子的M電子層的P能級中有3個電子，則D元素原子電子排布式為1s²2s²2p⁶ 3s²3p³，故D為P元素，
（1）氧原子核外電子數(shù)為8，核外電子排布為1s²2s²2p⁴；若A元素的原子最外層電子排布為1s¹，則A為氫元素，與氧元素形成的化合物為水等，共價鍵為s1電子與2p電子成鍵，屬于σ鍵，故答案為：1s²2s²2p⁴；σ；
（2）當(dāng)n=2時，A為Li，處于第二周期第ⅠA族，B為碳元素，C與O形成的化合物為直線形，故答案為：第二周期第ⅠA族；直線；
（3）當(dāng)n=3時，B為Si元素，Si與O形成二氧化硅，二氧化硅為原子晶體，同周期自左而右第一電離能呈增大趨勢，非金屬性越強(qiáng)第一電離能越大，故第一電離能O＞P＞Si＞Li，
故答案為：原子晶體；O＞P＞Si＞Li．

點評：本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系、核外電子排布規(guī)律、常用化學(xué)用語、元素周期律等，難度中等，注意基礎(chǔ)知識的理解掌握．