Question

【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
我國(guó)部分城市灰霾天占全年一半，引起灰霾的PM2.5微細(xì)粒子包含（NH₄）₂SO₄、NH₄NO₃，有機(jī)顆粒物及揚(yáng)塵等．通過測(cè)定灰霾中鋅等重金屬的含量，可知目前造成我國(guó)灰霾天氣主要是交通污染．
（1）Zn²⁺在基態(tài)時(shí)核外電子排布式為

 

．
（2）SO₄^2-的空間構(gòu)型是

 

（用文字描述）．
（3）PM2.5富含大量的有毒、有害物質(zhì)，易引發(fā)二次光化學(xué)煙霧污染，光化學(xué)煙霧中含有NO_X、O₃，CH₂=CH-CHO，HCOOH，CH₃COOONO₂（PAN）等二次污染物．
①下列說法正確的是

 

（不定項(xiàng)選擇）．
a．N₂0結(jié)構(gòu)式可表示為N=N=O
b．O₃分子呈直線形
c．CH₂=CH-CHO分子中碳原子均采用sp²雜化
d．相同壓強(qiáng)下，HCOOH沸點(diǎn)比CH₃0CH₃高，說明前者是極性分子，后者是非極性分子
②1mol PAN中含σ鍵數(shù)目為

 

．NO能被FeSO₄溶液吸收生成配合物[（Fe（NO）（H₂O）₅）SO₄，該配合物中心離子的配位數(shù)為

 

（填數(shù)字）．
（4）測(cè)定大氣中PM2.5的濃度方法之一是β一射線吸收法，β一射線放射源可用⁸⁵Kr，已知Kr晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，設(shè)晶體中與每個(gè)Kr原子相緊鄰的Kr原子有m個(gè)，晶胞中含Kr原子為n個(gè)，則

m

n

=

 

（填數(shù)字）．

Answer 1

分析：（1）Zn元素是30號(hào)元素，Zn原子形成離子先失去高能層中的電子，結(jié)合核外電子排布規(guī)律書寫；
（2）根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷粒子的空間結(jié)構(gòu)；
（3）①a．N₂0與CO₂是等電子體，結(jié)構(gòu)相似；
b．O₃與SO₂是等電子體，結(jié)構(gòu)相似；
c．CH₂=CH-CHO分子中每個(gè)碳原子均形成三根共價(jià)鍵，均采用sp²雜化；
d．HCOOH分子間能形成氫鍵；CH₃0CH₃不能形成分子間氫鍵；
（4）一個(gè)單鍵就是一個(gè)σ鍵，一個(gè)雙鍵中含有一個(gè)σ鍵，一個(gè)π鍵；配位體位于方括號(hào)中，由1個(gè)NO和5個(gè)H₂0分子構(gòu)成；
（5）以頂點(diǎn)為計(jì)算，與之相鄰的最近的Kr位于三個(gè)面心上，而頂點(diǎn)的原子為8個(gè)立方體共有，每個(gè)面心上的Kr為兩個(gè)立方體共有，故與每個(gè)Kr原子相緊鄰的Kr原子有3×4=12，晶胞中含Kr原子為8×

1

8

+6×

1

2

=4，然后求出比值．

解答：解：（1）Zn元素是30號(hào)元素，Zn原子的核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²，故Zn²⁺的基態(tài)電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰；
（2）SO₄^2-中中心原子S的價(jià)層電子對(duì)為

6+2

2

=4，雜化方式為SP³雜化，所以其空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)，
故答案為：正四面體；
（3）①a．N₂0與CO₂是等電子體，CO₂的結(jié)構(gòu)式O=C=O，所以N₂0結(jié)構(gòu)式可表示為N=N=O，故a正確；
b．O₃與SO₂是等電子體，SO₂是V形分子，所以O(shè)₃分子呈V形，故b錯(cuò)誤；
c．CH₂=CH-CHO分子中每個(gè)碳原子均形成三根共價(jià)鍵，均采用sp²雜化，故c正確；
d．HCOOH分子間能形成氫鍵；CH₃0CH₃不能形成分子間氫鍵，所以相同壓強(qiáng)下，HCOOH沸點(diǎn)比CH₃0CH₃高，故d錯(cuò)誤；
故選：ac；
（4）1個(gè)PAN（CH₃COOONO₂）中含有7個(gè)單鍵，3個(gè)雙鍵，共有10個(gè)σ鍵，3個(gè)π鍵，所以1mol PAN中含σ鍵數(shù)目為10mol；配位體位于方括號(hào)中，由1個(gè)NO和5個(gè)H₂0分子構(gòu)成，則配位數(shù)位6，
故答案為：10mol；6；
（5）與每個(gè)Kr原子相緊鄰的Kr原子有3×4=12，晶胞中含Kr原子為8×

1

8

+6×

1

2

=4，則

m

n

=

12

3

=4，故答案為：4．

點(diǎn)評(píng)：本題是道綜合題，涉及的知識(shí)點(diǎn)有電子排布式、分子空間構(gòu)型、等電子體的運(yùn)用、化學(xué)鍵、配合物、晶體中粒子數(shù)目的計(jì)算等知識(shí)，易錯(cuò)點(diǎn)為（5）．