【題目】如圖,半徑為L的半圓弧軌道PQS固定,電阻忽略不計(jì),O為圓心。OM是可繞O轉(zhuǎn)動(dòng)的金屬桿,M端位于PQS上,OM與軌道接觸良好,OM金屬桿的電阻與OP金屬桿電阻阻值相同?臻g存在如圖的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B,F(xiàn)使OM從OQ位置以恒定的角速度ω逆時(shí)針轉(zhuǎn)到OS位置,則該過程
A.MO兩點(diǎn)的電壓B.MO兩點(diǎn)的電壓
C.回路中電流方向沿M-Q-P-OD.回路中電流方向沿M-O-P-Q
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某同學(xué)研究小燈泡的伏安特性,所使用的器材有:
小燈泡L(額定電壓3.8V,額定電流0.32A)
電壓表V (量程3V,內(nèi)阻3kΩ)
電流表A(量程0.5A,內(nèi)阻0.5Ω)
固定電阻(阻值1000Ω)
滑動(dòng)變阻器R(阻值0~9.0Ω)
電源E(電動(dòng)勢(shì)5V,內(nèi)阻不計(jì))
開關(guān)S,導(dǎo)線若干。
(1)實(shí)驗(yàn)要求能夠?qū)崿F(xiàn)在0~3.8V的范圍內(nèi)對(duì)小燈泡的電壓進(jìn)行測(cè)量,畫出實(shí)驗(yàn)電路原理圖____。
(2)實(shí)驗(yàn)測(cè)得該小燈泡伏安特性曲線如圖(a)所示。
由實(shí)驗(yàn)曲線可知,隨著電流的增加小燈泡的電阻___(填“增大”“不變”或“減小”),燈絲的電阻率____(填“增大”“不變”或“減小”)。
(3)用另一電源(電動(dòng)勢(shì)4V,內(nèi)阻1.00Ω)和題給器材連接成圖(b)所示的電路,調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器R的阻值,可以改變小燈泡的實(shí)際功率,閉合開關(guān)S,在R的變化范圍內(nèi),小燈泡的最小功率為___W。(結(jié)果均保留2位有效數(shù)字)
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲,均勻帶正電街的絕緣圓盤,圓盤平面在豎直面內(nèi),一光滑絕緣細(xì)桿過圓盤中心O點(diǎn)且垂直于盤面,細(xì)桿上套有一個(gè)質(zhì)量為m=10g、電荷量q=-5×10-2C的帶電的小環(huán)。讓小環(huán)以v0=6m/s的初速度從A點(diǎn)向右運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)時(shí),速度圖像的切線斜率最大(圖中標(biāo)出了該切線),到C點(diǎn)時(shí)速度第一次減為零,小環(huán)運(yùn)動(dòng)的v-t圖像如圖乙。則下列說法正確的是
A.由A到C的過程中,小環(huán)的電勢(shì)能一直增大
B.由A到C圓盤產(chǎn)生的電勢(shì)逐漸升高
C.圓盤產(chǎn)生的電場(chǎng)中,A、C兩點(diǎn)間的電勢(shì)差為3.6V
D.圓盤產(chǎn)生的電場(chǎng)中,B點(diǎn)處場(chǎng)強(qiáng)大小為0.2V/m
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,兩光滑金屬導(dǎo)軌傾斜放置,與水平面夾角為30°,到軌間距L,一質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌垂直放置,電源電動(dòng)勢(shì)恒定,不計(jì)導(dǎo)軌電阻。當(dāng)磁場(chǎng)豎直向上時(shí),導(dǎo)體棒恰能靜止,現(xiàn)磁場(chǎng)發(fā)生變化,方向沿順時(shí)針旋轉(zhuǎn),最終水平向右,在磁場(chǎng)變化的過程中,導(dǎo)體棒始終靜止。則下列說法正確的是( )
A. 磁感應(yīng)強(qiáng)度一直減小
B. 磁感應(yīng)強(qiáng)度先變小后變大
C. 導(dǎo)體棒對(duì)導(dǎo)軌的壓力變大
D. 磁感應(yīng)強(qiáng)度最小值為
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,M、N是兩塊水平放置的平行金屬板,R0為定值電阻,R1和R2為可變電阻,開關(guān)S閉合。質(zhì)量為m的帶正電荷的微粒從P點(diǎn)以水平速度v0射入金屬板間,沿曲線打在N板上的O點(diǎn)。若經(jīng)下列調(diào)整后,微粒仍從P點(diǎn)以水平速度v0射入,則關(guān)于微粒打在N板上的位置說法正確的是( )
A.保持開關(guān)S閉合,增大R1,粒子打在O點(diǎn)右側(cè)
B.保持開關(guān)S閉合,增大R2,粒子打在O點(diǎn)左側(cè)
C.斷開開關(guān)S,M極板稍微上移,粒子打在O點(diǎn)右側(cè)
D.斷開開關(guān)S,N極板稍微下移,粒子打在O點(diǎn)右側(cè)
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某同學(xué)用圖(a)所示的實(shí)驗(yàn)裝置研究重物下落的運(yùn)動(dòng)。圖(b)是打出紙帶的一段,ABCD是紙帶上四個(gè)計(jì)數(shù)點(diǎn),每?jī)蓚(gè)相鄰計(jì)數(shù)點(diǎn)間有四個(gè)點(diǎn)沒有畫出。已知重力加速度為g。
(1)已知打點(diǎn)計(jì)時(shí)器使用的交流電頻率為50Hz,利用圖(b)給出的數(shù)據(jù)可求出重物下落的加速度a=_________m/s2。(保留2位有效數(shù)字)
(2)為了求出重物在下落過程中所受的阻力,還需測(cè)量的物理量有_______________。
(3)用測(cè)得的物理量及加速度a表示阻力的計(jì)算式為f=_______________。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖,在坐標(biāo)系xOy的第二象限存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)方向垂直于xOy平面向里;第三象限內(nèi)有沿x軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng);第四象限的某圓形區(qū)域內(nèi)存在一垂直于xOy平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為第二象限磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的4倍。一質(zhì)量為m、帶電荷量為q(q>0)的粒子以速率v自y軸的A點(diǎn)斜射入磁場(chǎng),經(jīng)x軸上的C點(diǎn)以沿y軸負(fù)方向的速度進(jìn)入電場(chǎng),然后從y軸負(fù)半軸上的D點(diǎn)射出,最后粒子以沿著y軸正方向的速度經(jīng)過x軸上的Q點(diǎn)。已知OA=,OC=d,OD=,OQ=4d,不計(jì)粒子重力。
(1)求第二象限磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小與第三象限電場(chǎng)強(qiáng)度E的大;
(2)求粒子由A至D過程所用的時(shí)間;
(3)試求第四象限圓形磁場(chǎng)區(qū)域的最小面積。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】質(zhì)譜儀原理如圖所示,a為粒子加速器,電壓為U1;b為速度選擇器,磁場(chǎng)與電場(chǎng)正交,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1,板間距離為d;c為偏轉(zhuǎn)分離器,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2.今有一質(zhì)量為m、電荷量為e的正粒子(不計(jì)重力),經(jīng)加速后,該粒子恰能通過速度選擇器,粒子進(jìn)入分離器后做勻速圓周運(yùn)動(dòng).求:
(1)粒子的速度v為多少?
(2)速度選擇器的電壓U2為多少?
(3)粒子在B2磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R為多大?
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示為一種研究高能粒子在不同位置對(duì)撞的裝置。在關(guān)于y軸對(duì)稱間距為2d的MN、PQ邊界之間存在兩個(gè)有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),其中K(K在x軸上方)下方I區(qū)域磁場(chǎng)垂直紙面向外,JK上方Ⅱ區(qū)域磁場(chǎng)垂直紙面向里,其磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B.直線加速器1與直線加速器2關(guān)于O點(diǎn)軸對(duì)稱,其中心軸在位于x軸上,且末端剛好與MN、PQ的邊界對(duì)齊;質(zhì)量為m、電荷量為e的正、負(fù)電子通過直線加速器加速后同時(shí)以相同速率垂直MN、PQ邊界進(jìn)入磁場(chǎng)。為實(shí)現(xiàn)正、負(fù)電子在Ⅱ區(qū)域的y軸上實(shí)現(xiàn)對(duì)心碰撞(速度方向剛好相反),根據(jù)入射速度的變化,可調(diào)節(jié)邊界與x軸之間的距離h,不計(jì)粒子間的相互作用,不計(jì)正、負(fù)電子的重力,求:
(1)哪個(gè)直線加速器加速的是正電子;
(2)正、負(fù)電子同時(shí)以相同速度ν1進(jìn)入磁場(chǎng),僅經(jīng)過邊界一次,然后在Ⅱ區(qū)域發(fā)生對(duì)心碰撞,試通過計(jì)算求出v1的最小值。
(3)正、負(fù)電子同時(shí)以v2速度進(jìn)入磁場(chǎng),求正、負(fù)電子在Ⅱ區(qū)域y軸上發(fā)生對(duì)心碰撞的位置離O點(diǎn)的距離。
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