（2012?邯鄲模擬）下列說法正確的是
ACE
ACE

A．一定量的氣體，在體積不變時，分子每秒平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小
B．單晶體有固定的熔點(diǎn)，多晶體和非晶體沒有固定的熔點(diǎn)
C．熱量能夠自發(fā)地從高溫物體傳遞到低溫物體，但不能自發(fā)地從低溫物體傳遞到高溫物體
D．當(dāng)分子間的距離增大時，分子之間的引力和斥力均同時減小，而分子勢能一定增大
E．生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來完成．
分析：熱力學(xué)第二定律，熱力學(xué)基本定律之一，內(nèi)容為不可能把熱從低溫物體傳到高溫物體而不產(chǎn)生其他影響；不可能從單一熱源取熱使之完全轉(zhuǎn)換為有用的功而不產(chǎn)生其他影響；不可逆熱力過程中熵的微增量總是大于零．
解答：解：A、一定量的氣體，在體積不變時，溫度降低，壓強(qiáng)減小，根據(jù)氣體壓強(qiáng)原理知道分子每秒平均碰撞次數(shù)也減小，故A正確；
B、晶體都有固定的熔點(diǎn)，故B錯誤；
C、根據(jù)熱力學(xué)第二定律，熱量能夠自發(fā)地從高溫物體傳遞到低溫物體，但不能自發(fā)地從低溫物體傳遞到高溫物體，故C正確；
D、當(dāng)分子間的距離增大時，分子之間的引力和斥力均同時減小，但斥力減小的更快，當(dāng)合力表現(xiàn)為引力時，分子勢能增加，當(dāng)合力表現(xiàn)為斥力時，分子勢能減小，故D錯誤；
E、生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來完成，故E正確；
故選ACE．
點(diǎn)評：本題綜合考查了熱力學(xué)第二定律、擴(kuò)散現(xiàn)象、分子力和分子勢能等知識點(diǎn)，關(guān)鍵要多看課本，熟悉基礎(chǔ)知識．
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3
，畫出形成兩光斑的光路圖，并求此玻璃磚的厚度d．

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①勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E=Fcosθ/q；
②AB兩點(diǎn)的電勢差為Fdcosθ/q；
③帶電小球由A運(yùn)動至B過程中電勢能增加了Fdcosθ；
④若帶電小球由B向A做勻速直線運(yùn)動，則F必須反向．

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