(2010?海淀區(qū)模擬)如圖所示,在一個(gè)正方形區(qū)域abcd內(nèi)存在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,現(xiàn)從ad邊的中心O點(diǎn)處,垂直磁場方向射入一速度為v0的帶正電粒子,v0與ad邊垂直.已知粒子質(zhì)量為m,帶電量為q,正方形的邊長為L,不計(jì)粒子的重力.
(1)若要使粒子能從ab邊射出磁場,求v0的大小范圍;
(2)粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間是多少?
分析:(1)粒子進(jìn)入磁場中.由洛倫茲力提供向心力,由牛頓第二定律得到半徑公式r=
mv
qB
,粒子的速度v越大,軌跡半徑r越大.粒子從ab邊射出磁場時(shí),從a點(diǎn)射出,軌跡半徑最小,對應(yīng)的速度最小,從b點(diǎn)射出,軌跡半徑最大,對應(yīng)的速度最大,根據(jù)幾何關(guān)系求出半徑,再由牛頓第二定律求出對應(yīng)的速度,即可得到速度的范圍.
(2)粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的周期T=
2πm
qB
,運(yùn)動(dòng)時(shí)間t=
θ
T,θ是軌跡所對應(yīng)的圓心角,T是一定的,θ越大,t越大,當(dāng)θ最大時(shí),t最長.由圖知,θ最大為π,則知最長時(shí)間為
1
2
T.
解答:解:(1)當(dāng)粒子從a點(diǎn)射出時(shí),軌跡半徑最小,設(shè)為r1.對應(yīng)的速度最小,設(shè)為v1.當(dāng)粒子從從b點(diǎn)射出時(shí),軌跡半徑最大,設(shè)為r2.對應(yīng)的速度最大,設(shè)為v2
根據(jù)幾何關(guān)系得:r1=
1
4
L,
r
2
2
=L2+(r2-
1
2
L)2

則得 r2=
5
4
L

根據(jù)牛頓第二定律得:qvB=m
v2
r

則得v=
qBr
m

故有v1=
qBL
4m
,v2=
5qBL
4m

所以要使粒子能從ab邊射出磁場,v0的大小范圍為
qBL
4m
≤v0≤,5qBL4m
(2)粒子運(yùn)動(dòng)周期為 T=
2πm
qB

當(dāng)粒子從oa邊射出時(shí),轉(zhuǎn)過的圓心角最大,為π.故粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間為t=
1
2
T=
πm
qB

答:
(1)要使粒子能從ab邊射出磁場,v0的大小范圍為
qBL
4m
≤v0
5qBL
4m

(2)粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間為
πm
qB
點(diǎn)評:帶電粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的類型,確定向心力來源,畫出軌跡,運(yùn)用牛頓第二定律列式是慣用的解題思路.平時(shí)要加強(qiáng)訓(xùn)練,才能運(yùn)用自如.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解

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(1)電子槍的三級加速可以簡化為如圖乙所示的加速電場,若從陰極逸出電子的初速度可忽略不計(jì),要使電子被加速后的動(dòng)能達(dá)到1.6×10-16J,求加速電壓U0為多大;
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(3)如圖甲所示,電子槍中燈絲用來加熱陰極,使陰極發(fā)射電子.控制柵極的電勢比陰極低,調(diào)節(jié)陰極與控制柵極之間的電壓,可控制通過柵極電子的數(shù)量.現(xiàn)要使電子打在熒光屏上電子的數(shù)量增加,應(yīng)如何調(diào)節(jié)陰極與控制柵極之間的電壓.
電子槍中A1、A2和A3三個(gè)陽極除了對電子加速外,還共同完成對電子束的聚焦作用,其中聚焦的電場可簡化為如圖丁所示的電場,圖中的虛線是該電場的等勢線.請說明聚焦電場如何實(shí)現(xiàn)對電子束的聚焦作用.

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科目:高中物理 來源: 題型:

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(1)若忽略游戲者下滑過程中所受的一切阻力,求游戲者從滑梯頂端A點(diǎn)由靜止滑下到斜面底端B點(diǎn)的速度大小;
(2)若由于阻力的作用,游戲者從滑梯頂端A點(diǎn)由靜止滑下到達(dá)滑梯末端C點(diǎn)時(shí)速度大小,vC=15m/s求這一過程中游戲者克服阻力所做的功;
(3)若游戲者滑到滑梯末端C點(diǎn)以vC=15m/s的速度水平飛出,求他從C點(diǎn)水平飛出到落入水中時(shí),他在空中運(yùn)動(dòng)過程中水平方向的位移.

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